![]() |
ОУ полев. вход, 25 МГц, 50 В/мкс, Uсм = 0,085 мВ, 0,8 мкВ/°С, 6 нВ/VГц, Iвх = 0,002 нА, Iвых = 30 мА, Iп = 2,5 мА, Uп = 10...27,3 В, -40...+125°C, SOIC8 без свинца. |
Корпус | 8-SOIC |
Корпус (размер) | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
Тип монтажа | Поверхностный |
Рабочая температура | -40°C ~ 125°C |
Напряжение-выходное, Single/Dual (±) | ±5 V ~ 13 V |
Ток выходной / канал | 45mA |
Ток выходной | 3mA |
Напряжение входного смещения | 85µV |
Ток - входного смещения | 3pA |
Полоса пропускания | 25MHz |
Скорость нарастания выходного напряжения | 60 V/µs |
Число каналов | 1 |
Тип усилителя | J-FET |
Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
![]() | Р СћР С›125-12.5-4 609.20 СЂСѓР± РљСѓРїРСвЂВть |
![]() | IRF1405ZS-7P Hexfet power mosfets discrete n-channel РљСѓРїРСвЂВть |
![]() | P6CU-483R3E P6cu-483r3e - dc/dc преобразователь Р В Р’В Р РЋР’Вощностью 1 Р  В Р вЂ Р РЋРІР‚С™, РєРѕСЂРїСѓСЃ: Р В Р’В Р СћРІР‚Вля Р В Р’В Р РЋР’Вонтажа Р Р…Р В° печатную плату sip7 РљСѓРїРСвЂВть |
|
Корзина
|