2 ОУ бипл., 10 МГц, 4 В/мкс, Uсм = 0,02 мВ, 0,3 мкВ/°С, 2,8 нВ/VГц, Iвх = 3 нА, Iвых = 10 мА, Iп = 3 мА, Uп = 8...36 В, -40...+125°C, SOIC8 без свинца. |
Корпус | 8-SOIC |
Корпус (размер) | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
Тип монтажа | Поверхностный |
Рабочая температура | -40°C ~ 125°C |
Напряжение-выходное, Single/Dual (±) | 10 V ~ 36 V, ±5 V ~ 18 V |
Ток выходной / канал | 30mA |
Ток выходной | 3mA |
Напряжение входного смещения | 20µV |
Ток - входного смещения | 3nA |
Полоса пропускания | 10MHz |
Скорость нарастания выходного напряжения | 4 V/µs |
Число каналов | 2 |
Тип усилителя | General Purpose |
Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
|