0603 5.1PF NPO 5% 50V

Версия для печати

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

С этим товаром покупают:

Наименование	Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.
0603 4.7PF NPO 5% 50V
BB133	Варикап 30В, 200нА, 460МГц, SOD-323	NXP
BB133	Варикап 30В, 200нА, 460МГц, SOD-323	PHILIPS
BB133	Варикап 30В, 200нА, 460МГц, SOD-323		5	25.00
BB133	Варикап 30В, 200нА, 460МГц, SOD-323	PHILIPS	1 005
BB133	Варикап 30В, 200нА, 460МГц, SOD-323	SHIKUES	6 594	4.43
BC857	маломощные P-N-P транзисторы с большим коэффициентом усиления ("супербетта") в корпусе ...	PHILIPS
BC857	маломощные P-N-P транзисторы с большим коэффициентом усиления ("супербетта") в корпусе ...	NXP
BC857	маломощные P-N-P транзисторы с большим коэффициентом усиления ("супербетта") в корпусе ...	PHILIPS
BC857	маломощные P-N-P транзисторы с большим коэффициентом усиления ("супербетта") в корпусе ...	NXP	10 484
BC857	маломощные P-N-P транзисторы с большим коэффициентом усиления ("супербетта") в корпусе ...		335	5.25
BC857	маломощные P-N-P транзисторы с большим коэффициентом усиления ("супербетта") в корпусе ...	MULTICOMP
BC857	маломощные P-N-P транзисторы с большим коэффициентом усиления ("супербетта") в корпусе ...	JSCJ	703 496	1.78 >100 шт. 0.89
CD4011BMT		TEXAS INSTRUMENTS
CD4011BMT		TEXAS INSTRUMENTS
КД522 (1N4148)	Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный, импульсный 50В, 2мкА, 0,004мкс