|
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
PLA10AS4330R3R2B |
|
Сетевой фильтр дроссель подавления ЭМП
|
MURATA
|
|
|
|
|
|
PLA10AS4330R3R2B |
|
Сетевой фильтр дроссель подавления ЭМП
|
|
|
69.64
|
|
|
|
PLA10AS4330R3R2B |
|
Сетевой фильтр дроссель подавления ЭМП
|
Murata Electronics North America
|
|
|
|
|
|
PLA10AS4330R3R2B |
|
Сетевой фильтр дроссель подавления ЭМП
|
MUR
|
|
|
|
|
|
PLA10AS4330R3R2B |
|
Сетевой фильтр дроссель подавления ЭМП
|
TOKYO PARTS
|
|
|
|
|
|
PLA10AS4330R3R2B |
|
Сетевой фильтр дроссель подавления ЭМП
|
TP-MUR
|
|
|
|
|
|
PLA10AS4330R3R2B |
|
Сетевой фильтр дроссель подавления ЭМП
|
0.00
|
|
|
|
|
|
RCH114NP-332KB |
|
|
SUMIDA
|
|
|
|
|
|
RCH114NP-332KB |
|
|
|
|
37.76
|
|
|
|
STP10NK60ZFP |
|
Полупроводниковый компонент TO220ISO
|
ST MICROELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
STP10NK60ZFP |
|
Полупроводниковый компонент TO220ISO
|
|
70
|
43.91
|
|
|
|
STP10NK60ZFP |
|
Полупроводниковый компонент TO220ISO
|
ST MICROELECTRONICS SEMI
|
|
|
|
|
|
STP10NK60ZFP |
|
Полупроводниковый компонент TO220ISO
|
STMicroelectronics
|
|
|
|
|
|
STP10NK60ZFP |
|
Полупроводниковый компонент TO220ISO
|
|
70
|
43.91
|
|
|
|
STP10NK60ZFP |
|
Полупроводниковый компонент TO220ISO
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
STP10NK60ZFP |
|
Полупроводниковый компонент TO220ISO
|
ST MICROELECTRO
|
|
|
|
|
|
STP6NK60ZFP |
|
MOSFET силовой транзистор N, Uси: 600 В, Iс(25°C): 6 А, Rси(вкл): 1 Ом, Uзатв(ном): 10 ...
|
ST MICROELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
STP6NK60ZFP |
|
MOSFET силовой транзистор N, Uси: 600 В, Iс(25°C): 6 А, Rси(вкл): 1 Ом, Uзатв(ном): 10 ...
|
|
2 780
|
48.26
|
|
|
|
STP6NK60ZFP |
|
MOSFET силовой транзистор N, Uси: 600 В, Iс(25°C): 6 А, Rси(вкл): 1 Ом, Uзатв(ном): 10 ...
|
STMicroelectronics
|
|
|
|
|
|
STP6NK60ZFP |
|
MOSFET силовой транзистор N, Uси: 600 В, Iс(25°C): 6 А, Rси(вкл): 1 Ом, Uзатв(ном): 10 ...
|
ST MICROELECTR
|
|
|
|
|
|
STP6NK60ZFP |
|
MOSFET силовой транзистор N, Uси: 600 В, Iс(25°C): 6 А, Rси(вкл): 1 Ом, Uзатв(ном): 10 ...
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
STP6NK60ZFP |
|
MOSFET силовой транзистор N, Uси: 600 В, Iс(25°C): 6 А, Rси(вкл): 1 Ом, Uзатв(ном): 10 ...
|
ST MICROELECTRONICS SEMI
|
|
|
|
|
|
STP6NK60ZFP |
|
MOSFET силовой транзистор N, Uси: 600 В, Iс(25°C): 6 А, Rси(вкл): 1 Ом, Uзатв(ном): 10 ...
|
ST MICROELECTRO
|
|
|
|
|
|
XY305A-2P 10MM |
|
|
|
|
|
|