|
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
2N5551 |
|
Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)
|
FAI/QTC
|
|
|
|
|
|
2N5551 |
|
Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
2N5551 |
|
Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)
|
ON SEMICONDUCTOR
|
800
|
15.30
|
|
|
|
2N5551 |
|
Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)
|
MOTOROLA
|
|
|
|
|
|
2N5551 |
|
Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)
|
NATIONAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
2N5551 |
|
Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)
|
NXP
|
|
|
|
|
|
2N5551 |
|
Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
2N5551 |
|
Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)
|
TOSHIBA
|
|
|
|
|
|
2N5551 |
|
Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)
|
DC COMPONENTS
|
5 248
|
5.95
|
|
|
|
2N5551 |
|
Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)
|
FSC
|
|
|
|
|
|
2N5551 |
|
Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)
|
UTC
|
|
|
|
|
|
2N5551 |
|
Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)
|
DIOTEC
|
4 458
|
3.43
|
|
|
|
2N5551 |
|
Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)
|
МИНСК
|
|
|
|
|
|
2N5551 |
|
Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
2N5551 |
|
Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)
|
MOTOROLA
|
|
|
|
|
|
2N5551 |
|
Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
2N5551 |
|
Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)
|
OTHER
|
|
|
|
|
|
2N5551 |
|
Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)
|
NS
|
|
|
|
|
|
2N5551 |
|
Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)
|
KEC
|
|
|
|
|
|
2N5551 |
|
Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)
|
|
18 800
|
1.36
|
|
|
|
2N5551 |
|
Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)
|
TOSHIBA
|
|
|
|
|
|
2N5551 |
|
Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)
|
---
|
|
|
|
|
|
2N5551 |
|
Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)
|
NO TRADEMARK
|
|
|
|
|
|
2N5551 |
|
Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)
|
MULTICOMP
|
|
|
|
|
|
2N5551 |
|
Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)
|
HOTTECH
|
2 954
|
2.06
|
|
|
|
2N5551 |
|
Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)
|
KLS
|
|
|
|
|
|
2N5551 |
|
Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
2N5551 |
|
Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)
|
CHINA
|
9 600
|
1.36
|
|
|
|
2N5551 |
|
Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)
|
ZH
|
|
|
|
|
|
2SB649AC |
|
Транзистор биполярный PNP высокочастотный
|
HITACHI
|
|
|
|
|
|
2SB649AC |
|
Транзистор биполярный PNP высокочастотный
|
|
|
40.00
|
|
|
|
2SB649AC |
|
Транзистор биполярный PNP высокочастотный
|
UTC
|
|
|
|
|
|
2SB649AC |
|
Транзистор биполярный PNP высокочастотный
|
HIT
|
|
|
|
|
|
2SB649AC |
|
Транзистор биполярный PNP высокочастотный
|
UNISONIC
|
|
|
|
|
|
2SB649AC |
|
Транзистор биполярный PNP высокочастотный
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
2SB649AC |
|
Транзистор биполярный PNP высокочастотный
|
DE
|
|
|
|
|
|
DB4 |
|
Динистор 40V 2A
|
ST MICROELECTRONICS
|
15 690
|
3.01
|
|
|
|
DB4 |
|
Динистор 40V 2A
|
|
1 320
|
9.60
|
|
|
|
DB4 |
|
Динистор 40V 2A
|
STMicroelectronics
|
|
|
|
|
|
DB4 |
|
Динистор 40V 2A
|
DIOTEC
|
9 229
|
2.94
|
|
|
|
DB4 |
|
Динистор 40V 2A
|
|
1 320
|
9.60
|
|
|
|
DB4 |
|
Динистор 40V 2A
|
YT
|
|
|
|
|
|
DB4 |
|
Динистор 40V 2A
|
1
|
|
|
|
|
|
KBPC3510 |
|
Диодный мост 35A, 1000V
|
DC COMPONENTS
|
14
|
288.00
|
|
|
|
KBPC3510 |
|
Диодный мост 35A, 1000V
|
MCC
|
|
|
|
|
|
KBPC3510 |
|
Диодный мост 35A, 1000V
|
WTE
|
|
|
|
|
|
KBPC3510 |
|
Диодный мост 35A, 1000V
|
|
3
|
207.68
|
|
|
|
KBPC3510 |
|
Диодный мост 35A, 1000V
|
QUAN-HONG
|
|
|
|
|
|
KBPC3510 |
|
Диодный мост 35A, 1000V
|
GALAXY
|
|
|
|
|
|
KBPC3510 |
|
Диодный мост 35A, 1000V
|
ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
|
|
|
|
|
|
KBPC3510 |
|
Диодный мост 35A, 1000V
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
KBPC3510 |
|
Диодный мост 35A, 1000V
|
MIC
|
304
|
116.13
|
|
|
|
KBPC3510 |
|
Диодный мост 35A, 1000V
|
YJ
|
13 288
|
85.61
|
|
|
|
KBPC3510 |
|
Диодный мост 35A, 1000V
|
KINGTRONICS
|
|
|
|
|
|
KBPC3510 |
|
Диодный мост 35A, 1000V
|
GALAXY ME
|
|
|
|
|
|
KBPC3510 |
|
Диодный мост 35A, 1000V
|
WUXI XUYANG
|
1 972
|
103.80
|
|
|
|
KBPC3510 |
|
Диодный мост 35A, 1000V
|
YANGJIE
|
11 840
|
90.94
|
|
|
|
KBPC3510 |
|
Диодный мост 35A, 1000V
|
YANGJIE (YJ)
|
|
|
|
|
|
KBPC3510 |
|
Диодный мост 35A, 1000V
|
YS
|
|
|
|
|
|
KBPC3510 |
|
Диодный мост 35A, 1000V
|
KLS
|
1 360
|
127.92
|
|
|
|
KBPC3510 |
|
Диодный мост 35A, 1000V
|
SEP
|
|
|
|
|
|
KBPC3510 |
|
Диодный мост 35A, 1000V
|
HOTTECH
|
|
|
|
|
|
MF-0,25 16К 1% |
|
|
|
|
|
|