2SA1962

Название (производитель)	Доступно для заказа	Цена, руб.,без НДС	Купить
2SA1962		143.44

2SA1962R - h_FE1 = 55 ~ 110
2SA1962O - h_FE1= 80 ~ 160

Версия для печати

Технические характеристики 2SA1962

Корпус	TO-3P(N)
Корпус (размер)	2-16C1A (TO-247 N)
Тип монтажа	Выводной
Frequency - Transition	30MHz
Power - Max	130W
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce	80 @ 1A, 5V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic	3V @ 800mA, 8A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)	230V
Current - Collector (Ic) (Max)	15A
Transistor Type	PNP
Lead Free Status / RoHS Status	Contains lead / RoHS non-compliant

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

2SA1962 (Биполярные PNP транзисторы)

Биполярный транзистор Si-P, 230/230V, 15A, 130W, 25MHz

Производитель:
Toshiba Semiconductor
//www.semicon.toshiba.co.jp

2SA1962 datasheet
478,22kB
6стр.

Наименование	Описание	Производитель	Цена, руб.
2SC2240	Биполярный транзистор Si-N (120/120V, 0,1A, 0,3W, 100MHz)	TOSHIBA
2SC2240	Биполярный транзистор Si-N (120/120V, 0,1A, 0,3W, 100MHz)		13.08
2SC2240	Биполярный транзистор Si-N (120/120V, 0,1A, 0,3W, 100MHz)	TOS
2SC2240	Биполярный транзистор Si-N (120/120V, 0,1A, 0,3W, 100MHz)	КИТАЙ
2SC3502	Биполярный транзистор NPN 200V, 0.1A, 5W, 150MHz	SANYO
2SC3502	Биполярный транзистор NPN 200V, 0.1A, 5W, 150MHz	SAN
2SC3502	Биполярный транзистор NPN 200V, 0.1A, 5W, 150MHz		28.76
2SC3502	Биполярный транзистор NPN 200V, 0.1A, 5W, 150MHz	КИТАЙ
2SC3502	Биполярный транзистор NPN 200V, 0.1A, 5W, 150MHz	ISCSEMI
2SC5242		TOSHIBA
2SC5242		TOS
2SC5242			145.36
2SC5242		ISCSEMI
К-40У-9 200В 0,47МКФ 10%
К40У-9-200В-0,033 МКФ-10%