2SC5244

Версия для печати

Технические характеристики 2SC5244

Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В	1500
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В	1500
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А)	20
Статический коэффициент передачи тока h21э мин	12
Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц	3
Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт	200
Корпус	TOP-3L

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

С этим товаром покупают:

Наименование	Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.
ECAP 470/25V 1013 105C	Электролитический алюминиевый конденсатор 470мкФ, 25 В, 105С			28.00
ECAP 470/25V 1013 105C	Электролитический алюминиевый конденсатор 470мкФ, 25 В, 105С	JAMICON
ECAP 470/25V 1013 105C	Электролитический алюминиевый конденсатор 470мкФ, 25 В, 105С	JAM
ECAP 470/25V 1013 105C	Электролитический алюминиевый конденсатор 470мкФ, 25 В, 105С	JB
IRFPE50	N-канальный Полевой транзистор (Vds=800V, Id=7.8A@T=25C, Id=4.9A@T=100C, Rds=1.2 R, ...	INTERNATIONAL RECTIFIER
IRFPE50	N-канальный Полевой транзистор (Vds=800V, Id=7.8A@T=25C, Id=4.9A@T=100C, Rds=1.2 R, ...	VISHAY
IRFPE50	N-канальный Полевой транзистор (Vds=800V, Id=7.8A@T=25C, Id=4.9A@T=100C, Rds=1.2 R, ...		284	173.57
IRFPE50	N-канальный Полевой транзистор (Vds=800V, Id=7.8A@T=25C, Id=4.9A@T=100C, Rds=1.2 R, ...	Vishay/Siliconix
IRFPE50	N-канальный Полевой транзистор (Vds=800V, Id=7.8A@T=25C, Id=4.9A@T=100C, Rds=1.2 R, ...	КИТАЙ
IRG4PC40UD	Транзистор IGBT+DI модуль единичный (Vce=600V, Ic=40A@t=25C, Ic=20A@t=100C, ...	INTERNATIONAL RECTIFIER	47	692.73
IRG4PC40UD	Транзистор IGBT+DI модуль единичный (Vce=600V, Ic=40A@t=25C, Ic=20A@t=100C, ...			491.08
IRG4PC40UD	Транзистор IGBT+DI модуль единичный (Vce=600V, Ic=40A@t=25C, Ic=20A@t=100C, ...	КИТАЙ
IRG4PC40UD	Транзистор IGBT+DI модуль единичный (Vce=600V, Ic=40A@t=25C, Ic=20A@t=100C, ...	INFINEON
IRG4PC50F	Транзистор IGBT модуль единичный	INTERNATIONAL RECTIFIER
IRG4PC50F	Транзистор IGBT модуль единичный		1	432.00
IRG4PC50F	Транзистор IGBT модуль единичный	ТАИЛАНД
IRG4PC50F	Транзистор IGBT модуль единичный	МЕКСИКА
IRG4PC50F	Транзистор IGBT модуль единичный	INFINEON
IRG4PC50F	Транзистор IGBT модуль единичный	1
LM2903DG		TEXAS INSTRUMENTS
LM2903DG		ON SEMICONDUCTOR
LM2903DG		ON SEMIC
LM2903DG
LM2903DG		ON SEMICONDUCTOR
LM2903DG		ONSEMICONDUCTOR
LM2903DG		ONS