|
Корпус | Mini3-G1 |
Корпус (размер) | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Тип монтажа | Поверхностный |
Frequency - Transition | 200MHz |
Power - Max | 200mW |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 200 @ 500mA, 2V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 400mV @ 20mA, 500mA |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 20V |
Current - Collector (Ic) (Max) | 500mA |
Transistor Type | NPN |
Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
2SD1328 (Универсальные биполярные транзисторы) Silicon NPN epitaxial planar type
Производитель:
|
Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|
0805-1.0K 1% | ЧИП — резистор 0.125Вт, 1кОм, ±1%, 150 В | FAITHFUL LINK | ||||||
0805-1.0K 1% | ЧИП — резистор 0.125Вт, 1кОм, ±1%, 150 В | 1.24 | ||||||
0805-330 5% | ЧИП — резистор |
1.60 >100 шт. 0.80 |
||||||
AD826AN | Сдвоенный операционный усилитель быстродейств: 50 МГц, 350В/мкС, Iвых=50мАх2 | ANALOG DEVICES | 4 | 780.30 | ||||
AD826AN | Сдвоенный операционный усилитель быстродейств: 50 МГц, 350В/мкС, Iвых=50мАх2 | 560.00 | ||||||
L/H KSS720A | 4 293.00 | |||||||
TLE5205-2G | INFINEON | |||||||
TLE5205-2G | 1 108.68 | |||||||
TLE5205-2G | Infineon Technologies | |||||||
TLE5205-2G | TEXAS INSTRUMENTS |
|