2SD1330

Название (производитель)	Доступно для заказа	Цена, руб.,без НДС	Купить
2SD1330		59.48

Версия для печати

Технические характеристики 2SD1330

Корпус	M-A1
Корпус (размер)	M-Type
Тип монтажа	Поверхностный
Frequency - Transition	200MHz
Power - Max	600mW
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce	200 @ 500mA, 2V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic	400mV @ 20mA, 500mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)	20V
Current - Collector (Ic) (Max)	500mA
Transistor Type	NPN
Lead Free Status / RoHS Status	Contains lead / RoHS non-compliant

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

2SD1330 (Универсальные биполярные транзисторы)

Transistor

Производитель:
Panasonic Semiconductor
//www.panasonic.co.jp

2SD1330 datasheet
45.32Kb
2стр.