2SJ200
P-MOS Hi-Fi, 180V, 10A, 120W (Comp. 2SK1529)
|
|
Версия для печати
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| FET Type | MOSFET P-Channel, Metal Oxide |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 180V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 10A |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 1300pF @ 30V |
| Power - Max | 120W |
| Тип монтажа | Выводной |
| Корпус (размер) | 2-16C1B (TO-247 N) |
| Корпус | TO-3P(N) |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
С этим товаром покупают:
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
 |
2SK1529 |
|
Транзистор полевой N-FT 180В 10A |
|
376.28 | ||
|
|
|
2SK1529 |
|
Транзистор полевой N-FT 180В 10A | TOSHIBA |
|
|
|
|
|
|
2SK1529 |
|
Транзистор полевой N-FT 180В 10A | TOS |
|
|
|
| 2SK1529Y | TOSHIBA |
|
|
|||||
| 2SK1529Y |
|
720.00 | ||||||
 |
|
MF-1 5.1K 5% |
|
Резистор постоянный непроволочный металлодиэлектрический 5.1кОм, 5%, 1Вт |
|
|
