2SJ201


Биполярный транзистор P-MOS Hi-Fi, 200V, 12A, 150W (Comp. 2SK1530)

Купить 2SJ201 по цене 566.20 руб.  (без НДС 20%)
2SJ201
Название (производитель) Доступно для заказа Цена, руб.,без НДС Купить
2SJ201 цена радиодетали 566.20 

Версия для печати

Технические характеристики 2SJ201

КорпусTO-3P(L)
Корпус (размер)TO-3P(L) (2-21F1B)
Тип монтажаВыводной
Power - Max150W
Input Capacitance (Ciss) @ Vds1500pF @ 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C12A
Drain to Source Voltage (Vdss)200V
FET FeatureLogic Level Gate
FET TypeMOSFET P-Channel, Metal Oxide
Lead Free Status / RoHS StatusLead free / RoHS Compliant
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

2SJ201 (Полевые МОП транзисторы)

P Channel Mos Type (high Power Amplifier Applications)

Производитель:
Toshiba Semiconductor
//www.semicon.toshiba.co.jp

2SJ201 datasheet
181.58Kb
3стр.

С этим товаром покупают:

    Наименование   Описание Производитель Количество Цена, руб. Купить
2SA1370 Биполярный транзистор PNP 200V, 0.1A, 1W, 150MHz   SANYO Заказ радиодеталей цена радиодетали
2SA1370 Биполярный транзистор PNP 200V, 0.1A, 1W, 150MHz     18 28.80 
2SA1370 Биполярный транзистор PNP 200V, 0.1A, 1W, 150MHz   SAN Заказ радиодеталей цена радиодетали
2SA1370 Биполярный транзистор PNP 200V, 0.1A, 1W, 150MHz   МАЛАЙЗИЯ Заказ радиодеталей цена радиодетали
2SC3467 Биполярный транзистор NPN (200V, 0.1A, 1W, 150MHz)   SANYO Заказ радиодеталей цена радиодетали
2SC3467 Биполярный транзистор NPN (200V, 0.1A, 1W, 150MHz)     Заказ радиодеталей 37.16 
2SC3467 Биполярный транзистор NPN (200V, 0.1A, 1W, 150MHz)   SAN Заказ радиодеталей цена радиодетали
2SC3467 Биполярный транзистор NPN (200V, 0.1A, 1W, 150MHz)   СИНГАПУР Заказ радиодеталей цена радиодетали
2SK1530 Транзистор полевой N-MOS Hi-Fi, 200V, 12A, 150W (Comp. 2SJ201)   TOSHIBA Заказ радиодеталей цена радиодетали
2SK1530 Транзистор полевой N-MOS Hi-Fi, 200V, 12A, 150W (Comp. 2SJ201)   TOS Заказ радиодеталей цена радиодетали
2SK1530 Транзистор полевой N-MOS Hi-Fi, 200V, 12A, 150W (Comp. 2SJ201)     Заказ радиодеталей 559.64 
    MJ15024G Транзистор NPN (Uce=250V, Ic=16A, P=250W, -65 to +150C).   ON SEMICONDUCTOR Заказ радиодеталей цена радиодетали
    MJ15024G Транзистор NPN (Uce=250V, Ic=16A, P=250W, -65 to +150C).   ONS Заказ радиодеталей цена радиодетали
    MJ15024G Транзистор NPN (Uce=250V, Ic=16A, P=250W, -65 to +150C).     1 504.00 
    MJ15024G Транзистор NPN (Uce=250V, Ic=16A, P=250W, -65 to +150C).   ГЕРМАНИЯ Заказ радиодеталей цена радиодетали
    MJ15024G Транзистор NPN (Uce=250V, Ic=16A, P=250W, -65 to +150C).   ON SEMICONDUCTO Заказ радиодеталей цена радиодетали
КД2999А Кремниевый диод большой мощности 200В, 20А, 100 кГц, 0,2мкс     85 66.50 
КД2999А Кремниевый диод большой мощности 200В, 20А, 100 кГц, 0,2мкс   ФОТОН Заказ радиодеталей цена радиодетали
КД2999А Кремниевый диод большой мощности 200В, 20А, 100 кГц, 0,2мкс   СЗТП 12 438.60 
КД2999А Кремниевый диод большой мощности 200В, 20А, 100 кГц, 0,2мкс   САРАНСКИЙ З-Д ТОЧНЫХ ПРИБОРО Заказ радиодеталей цена радиодетали
zakaz.kontest
 
радиодетали кварц микросхемы магазин
О компании Контакты Каталог Как купить? Доставка Оплата Вакансии   Вход