Версия для печати
Технические характеристики 2SK2382

Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
FET Type	MOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET Feature	Logic Level Gate
Rds On (Max) @ Id, Vgs	180 mOhm @ 10A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)	200V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	15A
Vgs(th) (Max) @ Id	3.5V @ 1mA
Gate Charge (Qg) @ Vgs	40nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	2000pF @ 10V
Power - Max	45W
Тип монтажа	Выводной
Корпус (размер)	2-10R1B
Корпус	TO-220NIS

КАТАЛОГ

 » 

ИМПОРТНЫЕ ЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ

 » 

Полупроводники

 » 

Транзисторы

 » 

Транзисторы (полевые) - одиночные

С этим товаром покупают:

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		10МКФ 16В (4X5) 105°С		Электролитический алюминиевый конденсатор 10 мкФ, 16В			13.60
		BUZ80A		Транзистор полевой N-MOS 800V, 3.4A, 75W	ST MICROELECTRONICS
		BUZ80A		Транзистор полевой N-MOS 800V, 3.4A, 75W	SIEMENS
		BUZ80A		Транзистор полевой N-MOS 800V, 3.4A, 75W			130.36
		BUZ80A		Транзистор полевой N-MOS 800V, 3.4A, 75W	Infineon Technologies
		BUZ80A		Транзистор полевой N-MOS 800V, 3.4A, 75W	ISC
		BUZ80A		Транзистор полевой N-MOS 800V, 3.4A, 75W	1
		MMBD352WT1		Сдвоенный ограничительный диод шоттки	ON SEMICONDUCTOR
		MMBD7000LT1			ON SEMICONDUCTOR
		MMBD7000LT1			INFINEON
		MMBD7000LT1			MOTOROLA
		MMBD7000LT1			MOTOROLA	52
		MMBD7000LT1			ON SEMICONDUCTOR	3 265
		MMBD7000LT1			Infineon Technologies
		MMBD7000LT1			INFINEON	2 084
		STP7NK80Z		Транзистор полевой N-канальный +Z-Dio (800V, 5.2A, 125W, 1.8R)	ST MICROELECTRONICS	120	201.25
		STP7NK80Z		Транзистор полевой N-канальный +Z-Dio (800V, 5.2A, 125W, 1.8R)			340.00
		STP7NK80Z		Транзистор полевой N-канальный +Z-Dio (800V, 5.2A, 125W, 1.8R)	STMicroelectronics

О компании

Контакты

Каталог

Как купить?

Доставка

Оплата

Вакансии

Вход

© 2002 - 2025 АО "Контест"