2SK2700

Название (производитель)	Доступно для заказа	Цена, руб.,без НДС	Купить
2SK2700		156.56

Версия для печати

Технические характеристики 2SK2700

Корпус	TO-220NIS
Корпус (размер)	2-10R1B
Power - Max	40W
Тип монтажа	Выводной
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	750pF @ 25V
Gate Charge (Qg) @ Vgs	25nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id	4V @ 1mA
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	3A
Drain to Source Voltage (Vdss)	900V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	4.3 Ohm @ 1.5A, 10V
FET Feature	Standard
FET Type	MOSFET N-Channel, Metal Oxide
Lead Free Status / RoHS Status	Contains lead / RoHS non-compliant

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

2SK2700 (Полевые МОП транзисторы)

N Channel Mos Type (high Speed, High Voltage Switching, Chopper Regulator, Dc-dc Converter and Motor Drive Applications)

Производитель:
Toshiba Semiconductor
//www.semicon.toshiba.co.jp

2SK2700 datasheet
291.14Kb
5стр.

Наименование	Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.
0805-20.5K 1%	ЧИП — резистор			1.08 >500 шт. 0.36
0805-5.6M 1%	ЧИП — резистор			1.60 >100 шт. 0.80
1000МКФ 35В (13X21) 105°C TK, JAMC	Электролитический алюминиевый конденсатор 1000 мкФ 35В	CHANGZHOU HUA WEI ELECTRONICS
1000МКФ 35В (13X21) 105°C TK, JAMC	Электролитический алюминиевый конденсатор 1000 мкФ 35В			33.60
CRCW08053K90JNEA		VISHAY
CRCW08053K90JNEA		VISHAY	34 782
CRCW08053K90JNEA		Vishay/Dale
PAL007A	УНЧ-DMOS 4x43W BTL (14.4V/2 Ом), max 4x80W, Gv=26dB, Mute/Standby	PIONEER
PAL007A	УНЧ-DMOS 4x43W BTL (14.4V/2 Ом), max 4x80W, Gv=26dB, Mute/Standby			1 325.60
PAL007A	УНЧ-DMOS 4x43W BTL (14.4V/2 Ом), max 4x80W, Gv=26dB, Mute/Standby	КИТАЙ