|
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
2SD1710 |
|
Биполярный транзистор NPN, 800В, 5А, 100Вт, 3МГц
|
|
12
|
173.88
|
|
|
|
2SD1710 |
|
Биполярный транзистор NPN, 800В, 5А, 100Вт, 3МГц
|
SANYO
|
|
|
|
|
|
2SD1710 |
|
Биполярный транзистор NPN, 800В, 5А, 100Вт, 3МГц
|
SAN
|
|
|
|
|
|
2SD1710 |
|
Биполярный транзистор NPN, 800В, 5А, 100Вт, 3МГц
|
UNKNOWN
|
|
|
|
|
|
2SD1710 |
|
Биполярный транзистор NPN, 800В, 5А, 100Вт, 3МГц
|
NO TRADEMARK
|
|
|
|
|
|
2SD1710 |
|
Биполярный транзистор NPN, 800В, 5А, 100Вт, 3МГц
|
ISCSEMI
|
|
|
|
|
|
BC559CTA |
|
|
Fairchild Semiconductor
|
|
|
|
|
|
BC559CTA |
|
|
FSC
|
|
|
|
|
|
BC559CTA |
|
|
|
|
|
|
|
|
BC559CTA |
|
|
ONS
|
|
|
|
|
|
BF862 |
|
|
|
|
57.60
|
|
|
|
BF862 |
|
|
NXP
|
|
|
|
|
|
IRG4PH50U |
|
Транзистор IGBT модуль единичный 1200В, 45А, 200Вт
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
|
|
|
|
|
IRG4PH50U |
|
Транзистор IGBT модуль единичный 1200В, 45А, 200Вт
|
|
|
339.44
|
|
|
|
IRG4PH50U |
|
Транзистор IGBT модуль единичный 1200В, 45А, 200Вт
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
IRG4PH50U |
|
Транзистор IGBT модуль единичный 1200В, 45А, 200Вт
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
|
|
|
|
|
IRG4PH50U |
|
Транзистор IGBT модуль единичный 1200В, 45А, 200Вт
|
INFINEON
|
|
|
|
|
|
UC3845BD1 |
|
|
SGS
|
|
|
|
|
|
UC3845BD1 |
|
|
ST MICROELECTRONICS
|
800
|
35.91
|
|
|
|
UC3845BD1 |
|
|
|
|
60.52
|
|
|
|
UC3845BD1 |
|
|
SGS THOMSON
|
|
|
|
|
|
UC3845BD1 |
|
|
ST MICROELECTRONICS SEMI
|
24
|
|
|
|
|
UC3845BD1 |
|
|
STMicroelectronics
|
|
|
|
|
|
UC3845BD1 |
|
|
ON Semiconductor
|
|
|
|
|
|
UC3845BD1 |
|
|
STMICROELECTRO
|
|
|
|
|
|
UC3845BD1 |
|
|
1
|
|
|
|
|
|
UC3845BD1 |
|
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
556
|
|
|