47UF/50V 6.37.7 85°

Версия для печати

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

Наименование	Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.
1000 UF 63V 105C 1627
4700 UF 63V 105C 2542
SPP11N60C3	Полевой транзистор N-MOS 600V, 11A, 125W	INFINEON
SPP11N60C3	Полевой транзистор N-MOS 600V, 11A, 125W			552.00
SPP11N60C3	Полевой транзистор N-MOS 600V, 11A, 125W	INFINEON
SPP11N60C3	Полевой транзистор N-MOS 600V, 11A, 125W	Infineon Technologies
SPP11N60C3	Полевой транзистор N-MOS 600V, 11A, 125W	КИТАЙ
SPP11N60C3	Полевой транзистор N-MOS 600V, 11A, 125W	INFINEON TECH
STW20NK50Z	Транзистор N-Канальный+Z-Dio 500V 20A 190W 0,23R	ST MICROELECTRONICS	8	428.40
STW20NK50Z	Транзистор N-Канальный+Z-Dio 500V 20A 190W 0,23R			319.48
STW20NK50Z	Транзистор N-Канальный+Z-Dio 500V 20A 190W 0,23R	STMicroelectronics
STW20NK50Z	Транзистор N-Канальный+Z-Dio 500V 20A 190W 0,23R	КИТАЙ
STW20NK50Z	Транзистор N-Канальный+Z-Dio 500V 20A 190W 0,23R	ST MICROELECTRONICS SEMI
STW20NK50Z	Транзистор N-Канальный+Z-Dio 500V 20A 190W 0,23R	ST MICROELECTRO
TDA7293	УНЧ DMOS 80W (2x29V/4 Ом), THD<0.1%, max 100W	ST MICROELECTRONICS
TDA7293	УНЧ DMOS 80W (2x29V/4 Ом), THD<0.1%, max 100W			320.00
TDA7293	УНЧ DMOS 80W (2x29V/4 Ом), THD<0.1%, max 100W	ST MICROELECTR
TDA7293	УНЧ DMOS 80W (2x29V/4 Ом), THD<0.1%, max 100W	1