Версия для печати
Технические характеристики AT28C64-20PI

Корпус	28-PDIP
Корпус (размер)	28-DIP (0.600", 15.24mm)
Рабочая температура	-40°C ~ 85°C
Напряжение питания	4.5 V ~ 5.5 V
Интерфейс подключения	Parallel
Скорость	200ns
Объем памяти	64K (8K x 8)
Тип памяти	EEPROM
Формат памяти	EEPROMs - Parallel
Lead Free Status / RoHS Status	Contains lead / RoHS non-compliant

КАТАЛОГ

 » 

ИМПОРТНЫЕ ЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ

 » 

Микросхемы

 » 

Память (EEPROM, Flash, RAM)

С этим товаром покупают:

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		AT28C256-15PI		(PU) (EEPROM 32kx8) IndPDIP28	ATMEL
		AT28C256-15PI		(PU) (EEPROM 32kx8) IndPDIP28			640.00
		L-32P3C(L-3DP3C)		Фототранзистор 3мм, Iтемн 100нА, 30В	KINGBRIGHT
		L-32P3C(L-3DP3C)		Фототранзистор 3мм, Iтемн 100нА, 30В	KB
		L-32P3C(L-3DP3C)		Фототранзистор 3мм, Iтемн 100нА, 30В	ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
		L-32P3C(L-3DP3C)		Фототранзистор 3мм, Iтемн 100нА, 30В	КИТАЙ
		L-32P3C(L-3DP3C)		Фототранзистор 3мм, Iтемн 100нА, 30В
		W27C512-45Z		Энергонезависимая память EEPROM 64kx8, 5В, 45нс	WINBOND	652	462.48
		W27C512-45Z		Энергонезависимая память EEPROM 64kx8, 5В, 45нс	WIN
		W27C512-45Z		Энергонезависимая память EEPROM 64kx8, 5В, 45нс	Winbond Electronics
		W27C512-45Z		Энергонезависимая память EEPROM 64kx8, 5В, 45нс	ТАЙВАНЬ (КИТАЙ)
		W27C512-45Z		Энергонезависимая память EEPROM 64kx8, 5В, 45нс	ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
		W27C512-45Z		Энергонезависимая память EEPROM 64kx8, 5В, 45нс
		W27C512-45Z		Энергонезависимая память EEPROM 64kx8, 5В, 45нс	NO NAME
		W27C512-45Z		Энергонезависимая память EEPROM 64kx8, 5В, 45нс			141.80
		Z80A (4МГЦ)		Микропроцессор 4МГц
		Z80A (4МГЦ)		Микропроцессор 4МГц	GOLD STAR
		КР1818ВГ93					126.72
		КР1818ВГ93			КВАЗАР
		КР1818ВГ93			ЗБАРАЖ
		КР1818ВГ93			МИНСК
		КР1818ВГ93			КВАНТОР

О компании

Контакты

Каталог

Как купить?

Доставка

Оплата

Вакансии

Вход

© 2002 - 2025 АО "Контест"