BC847CDW1T1G
|
|
Версия для печати
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Transistor Type | 2 NPN (Dual) |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 100mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 45V |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 600mV @ 5mA, 100mA |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 420 @ 2mA, 5V |
| Power - Max | 380mW |
| Frequency - Transition | 100MHz |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Корпус (размер) | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
| Корпус | SOT-363 |
| Product Change Notification | Wire Change 08/Jun/2009 |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
С этим товаром покупают:
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
 |
BC857CDW1T1G |
|
Биполярный транзистор универсальный p-n-p -45В, 100мА, 0.38Вт, 100МГц | ON SEMICONDUCTOR |
|
|
|
|
|
|
BC857CDW1T1G |
|
Биполярный транзистор универсальный p-n-p -45В, 100мА, 0.38Вт, 100МГц |
|
|
||
|
|
|
BC857CDW1T1G |
|
Биполярный транзистор универсальный p-n-p -45В, 100мА, 0.38Вт, 100МГц | ONS |
|
|
|
|
|
|
BC857CDW1T1G |
|
Биполярный транзистор универсальный p-n-p -45В, 100мА, 0.38Вт, 100МГц | ON SEMICONDUCTOR | 620 |
|
|
| BCV49E6327 |
|
PNP-Darl 60V 0,5A 1W | INFINEON |
|
|
|||
| BCV49E6327 |
|
PNP-Darl 60V 0,5A 1W |
|
|
||||
|
|
BF1012 |
|
Транзистор биполярный малой мощности |
|
4.52 | |||
|
|
BF1012 |
|
Транзистор биполярный малой мощности | BELSIS |
|
|
||
 |
|
BF961 |
|
Транзистор N-FT-DG, 20В, 0.03A, TO50 | SIEMENS |
|
|
|
|
|
|
BF961 |
|
Транзистор N-FT-DG, 20В, 0.03A, TO50 |
|
58.40 | ||
| BF999E6327 | INFINEON |
|
|
|||||
| BF999E6327 |
|
36.56 | ||||||
| BF999E6327 | INFINEON |
|
|
