Версия для печати
Технические характеристики BSS84LT1G

Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
FET Type	MOSFET P-Channel, Metal Oxide
FET Feature	Logic Level Gate
Rds On (Max) @ Id, Vgs	10 Ohm @ 100mA, 5V
Drain to Source Voltage (Vdss)	50V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	130mA
Vgs(th) (Max) @ Id	2V @ 250µA
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	30pF @ 5V
Power - Max	225mW
Тип монтажа	Поверхностный
Корпус (размер)	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Корпус	SOT-23-3
Product Change Notification	Possible Adhesion Issue 11/July/2008

КАТАЛОГ

 » 

ИМПОРТНЫЕ ЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ

 » 

Полупроводники

 » 

Транзисторы

 » 

Транзисторы (полевые) - одиночные

С этим товаром покупают:

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		2N7002LT1G		Транзистор полевой N-канальный (Vds=60V, Id=0.115A@T=25C, Id=0.075A@T=100C, Rds)	ON SEMICONDUCTOR
		2N7002LT1G		Транзистор полевой N-канальный (Vds=60V, Id=0.115A@T=25C, Id=0.075A@T=100C, Rds)			4.00
		2N7002LT1G		Транзистор полевой N-канальный (Vds=60V, Id=0.115A@T=25C, Id=0.075A@T=100C, Rds)	ONS
		2N7002LT1G		Транзистор полевой N-канальный (Vds=60V, Id=0.115A@T=25C, Id=0.075A@T=100C, Rds)	ON SEMICONDUCTOR	2 533
		2N7002LT1G		Транзистор полевой N-канальный (Vds=60V, Id=0.115A@T=25C, Id=0.075A@T=100C, Rds)	ON SEMIC
		2N7002LT1G		Транзистор полевой N-канальный (Vds=60V, Id=0.115A@T=25C, Id=0.075A@T=100C, Rds)	ON SEMICONDUCTO
		2N7002LT1G		Транзистор полевой N-канальный (Vds=60V, Id=0.115A@T=25C, Id=0.075A@T=100C, Rds)	ONSEMICONDUCTOR
		2N7002LT1G		Транзистор полевой N-канальный (Vds=60V, Id=0.115A@T=25C, Id=0.075A@T=100C, Rds)	ONS-FAIR
		2N7002LT1G		Транзистор полевой N-канальный (Vds=60V, Id=0.115A@T=25C, Id=0.075A@T=100C, Rds)	LRC
		FDV301N		Транзистор полевой N-канальный MOSFET (25V, 0.22A, 0.35W)	FAIR
		FDV301N		Транзистор полевой N-канальный MOSFET (25V, 0.22A, 0.35W)			25.20
		FDV301N		Транзистор полевой N-канальный MOSFET (25V, 0.22A, 0.35W)	FAIRCHILD
		FDV301N		Транзистор полевой N-канальный MOSFET (25V, 0.22A, 0.35W)	FAIRCHILD	4 897
		FDV301N		Транзистор полевой N-канальный MOSFET (25V, 0.22A, 0.35W)	Fairchild Semiconductor
		FDV301N		Транзистор полевой N-канальный MOSFET (25V, 0.22A, 0.35W)	FSC
		FDV301N		Транзистор полевой N-канальный MOSFET (25V, 0.22A, 0.35W)	ONS
		FDV301N		Транзистор полевой N-канальный MOSFET (25V, 0.22A, 0.35W)	ONS-FAIR
		FDV301N		Транзистор полевой N-канальный MOSFET (25V, 0.22A, 0.35W)	ON SEMICONDUCTOR	388
		FDV301N		Транзистор полевой N-канальный MOSFET (25V, 0.22A, 0.35W)	VBSEMI	7 485	5.18
		FDV301N		Транзистор полевой N-канальный MOSFET (25V, 0.22A, 0.35W)	YOUTAI	36 489	4.01
		FT232RL		Микросхема двунаправленный преобраз. USB	FTDI
		FT232RL		Микросхема двунаправленный преобраз. USB			560.00
		FT232RL		Микросхема двунаправленный преобраз. USB	FUTURE TECH DEVICES INTER
		FT232RL		Микросхема двунаправленный преобраз. USB	FUTURE TECH DEVICES INTER LTD
		FT232RL		Микросхема двунаправленный преобраз. USB	КИТАЙ
		FT232RL		Микросхема двунаправленный преобраз. USB	FUTURE TECHNOLO
		FT232RL		Микросхема двунаправленный преобраз. USB	FUTURE TECHNOLOGY
		КУ202Н1		Тиристор кремниевый планарно-диффузионный, структуры p-n-p-n,триодный, незапираемый		4	72.00
		КУ202Н1		Тиристор кремниевый планарно-диффузионный, структуры p-n-p-n,триодный, незапираемый	ГАММА ЗАПОРОЖЬЕ
		КУ202Н1		Тиристор кремниевый планарно-диффузионный, структуры p-n-p-n,триодный, незапираемый	П/П 2
		КУ202Н1		Тиристор кремниевый планарно-диффузионный, структуры p-n-p-n,триодный, незапираемый	СТАРТ
		КУ202Н1		Тиристор кремниевый планарно-диффузионный, структуры p-n-p-n,триодный, незапираемый	СЗТП	84	173.40
		КУ202Н1		Тиристор кремниевый планарно-диффузионный, структуры p-n-p-n,триодный, незапираемый	RUS
		КУ202Н1		Тиристор кремниевый планарно-диффузионный, структуры p-n-p-n,триодный, незапираемый	РОССИЯ
		Э8030 0-250 В ~2.5

О компании

Контакты

Каталог

Как купить?

Доставка

Оплата

Вакансии

Вход

© 2002 - 2024 АО "Контест"