Версия для печати
Технические характеристики DS1669-50

Число каналов	1
Интерфейс подключения	Up/Down
Тип монтажа	Выводной
Lead Free Status / RoHS Status	Contains lead / RoHS non-compliant
Число шагов	64
Тип памяти	Non-Volatile
Напряжение питания	±4.5 V ~ 8 V
Рабочая температура	-40°C ~ 85°C
Корпус	8-PDIP
Корпус (размер)	8-DIP (0.300", 7.62mm)
Температурный коэфициент	750 ppm/°C Typical
Сопротивление (Ом)	50K
Серия	Dallastat™

КАТАЛОГ

 » 

ИМПОРТНЫЕ ЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ

 » 

Микросхемы

 » 

Цифровые потенциометры

С этим товаром покупают:

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		11DQ10		Диод Шоттки (U=100V, I=1.1A, Vf=0.85V@I=1.0A, Vf=0.96V@I=2.0A, -40 to +150C).	VISHAY
		11DQ10		Диод Шоттки (U=100V, I=1.1A, Vf=0.85V@I=1.0A, Vf=0.96V@I=2.0A, -40 to +150C).	INTERNATIONAL RECTIFIER
		11DQ10		Диод Шоттки (U=100V, I=1.1A, Vf=0.85V@I=1.0A, Vf=0.96V@I=2.0A, -40 to +150C).	EIC	4 508	11.67
		11DQ10		Диод Шоттки (U=100V, I=1.1A, Vf=0.85V@I=1.0A, Vf=0.96V@I=2.0A, -40 to +150C).			28.68
		11DQ10		Диод Шоттки (U=100V, I=1.1A, Vf=0.85V@I=1.0A, Vf=0.96V@I=2.0A, -40 to +150C).	Vishay/Semiconductors
		11DQ10		Диод Шоттки (U=100V, I=1.1A, Vf=0.85V@I=1.0A, Vf=0.96V@I=2.0A, -40 to +150C).	КИТАЙ
		B41858C6158M			EPCOS
		B41858C6158M
		B41858C6158M			БРАЗИЛИЯ
		B41858C9107M			EPCOS
		B41858C9107M
		B41858C9107M			БРАЗИЛИЯ
		B72220S0271K101			EPCOS
		B72220S0271K101
		B72220S0271K101			TDK-EPC	28 664	26.17
		B72220S0271K101			TDK (EPCOS)
		КВ121А		Варикапы кремниевые, эпитаксиально-планарные, подстроенные, для применения в ...		848	12.24
		КВ121А		Варикапы кремниевые, эпитаксиально-планарные, подстроенные, для применения в ...	ХЕРСОН

О компании

Контакты

Каталог

Как купить?

Доставка

Оплата

Вакансии

Вход

© 2002 - 2025 АО "Контест"