|
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
2SC5905 |
|
Биполярный транзистор NPN hi-res (1700V, 20A, 70W, Tf<200nS)
|
MATSUSHITA
|
|
|
|
|
|
2SC5905 |
|
Биполярный транзистор NPN hi-res (1700V, 20A, 70W, Tf<200nS)
|
|
4
|
223.20
|
|
|
|
2SC5905 |
|
Биполярный транзистор NPN hi-res (1700V, 20A, 70W, Tf<200nS)
|
MAT
|
|
|
|
|
|
2SC5905 |
|
Биполярный транзистор NPN hi-res (1700V, 20A, 70W, Tf<200nS)
|
PAN
|
|
|
|
|
|
2SC5905 |
|
Биполярный транзистор NPN hi-res (1700V, 20A, 70W, Tf<200nS)
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
FQP50N06 |
|
Силовой транзистор N-MOS 60V, 50A, 120W
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
FQP50N06 |
|
Силовой транзистор N-MOS 60V, 50A, 120W
|
FSC
|
|
|
|
|
|
FQP50N06 |
|
Силовой транзистор N-MOS 60V, 50A, 120W
|
FAI/QTC
|
|
|
|
|
|
FQP50N06 |
|
Силовой транзистор N-MOS 60V, 50A, 120W
|
|
1 000
|
30.73
|
|
|
|
FQP50N06 |
|
Силовой транзистор N-MOS 60V, 50A, 120W
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
FQP50N06 |
|
Силовой транзистор N-MOS 60V, 50A, 120W
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
FQP50N06 |
|
Силовой транзистор N-MOS 60V, 50A, 120W
|
Fairchild Semiconductor
|
|
|
|
|
|
FQP50N06 |
|
Силовой транзистор N-MOS 60V, 50A, 120W
|
FSC1
|
|
|
|
|
|
FQP50N06 |
|
Силовой транзистор N-MOS 60V, 50A, 120W
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
FQP50N06 |
|
Силовой транзистор N-MOS 60V, 50A, 120W
|
ON SEMI/FAIRCH
|
|
|
|
|
|
FQP50N06 |
|
Силовой транзистор N-MOS 60V, 50A, 120W
|
ONSEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
FQP50N06 |
|
Силовой транзистор N-MOS 60V, 50A, 120W
|
ONS
|
|
|
|
|
|
FQP50N06 |
|
Силовой транзистор N-MOS 60V, 50A, 120W
|
ONS-FAIR
|
|
|
|
|
|
IRFZ44N |
|
N-канальный Полевой транзистор (Vds=55V, Id=49A@T=25C, Id=35A@T=100C, ...
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
800
|
102.00
|
|
|
|
IRFZ44N |
|
N-канальный Полевой транзистор (Vds=55V, Id=49A@T=25C, Id=35A@T=100C, ...
|
NXP
|
|
|
|
|
|
IRFZ44N |
|
N-канальный Полевой транзистор (Vds=55V, Id=49A@T=25C, Id=35A@T=100C, ...
|
|
112
|
75.68
|
|
|
|
IRFZ44N |
|
N-канальный Полевой транзистор (Vds=55V, Id=49A@T=25C, Id=35A@T=100C, ...
|
NXP
|
|
|
|
|
|
IRFZ44N |
|
N-канальный Полевой транзистор (Vds=55V, Id=49A@T=25C, Id=35A@T=100C, ...
|
DMS
|
|
|
|
|
|
IRFZ44N |
|
N-канальный Полевой транзистор (Vds=55V, Id=49A@T=25C, Id=35A@T=100C, ...
|
МЕКСИКА
|
|
|
|
|
|
IRFZ44N |
|
N-канальный Полевой транзистор (Vds=55V, Id=49A@T=25C, Id=35A@T=100C, ...
|
INFINEON
|
|
|
|
|
|
IRFZ44N |
|
N-канальный Полевой транзистор (Vds=55V, Id=49A@T=25C, Id=35A@T=100C, ...
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
24
|
|
|
|
|
IRFZ44N |
|
N-канальный Полевой транзистор (Vds=55V, Id=49A@T=25C, Id=35A@T=100C, ...
|
1
|
|
|
|
|
|
IRFZ44N |
|
N-канальный Полевой транзистор (Vds=55V, Id=49A@T=25C, Id=35A@T=100C, ...
|
MINOS
|
808
|
32.56
|
|
|
|
IRFZ44N |
|
N-канальный Полевой транзистор (Vds=55V, Id=49A@T=25C, Id=35A@T=100C, ...
|
EVVO
|
2 496
|
21.56
|
|
|
|
LA78040 |
|
TV кадpовая pазвеpтка (70V, Ipp=1.8A)
|
SANYO
|
26
|
158.10
|
|
|
|
LA78040 |
|
TV кадpовая pазвеpтка (70V, Ipp=1.8A)
|
|
|
|
|
|
|
LA78040 |
|
TV кадpовая pазвеpтка (70V, Ipp=1.8A)
|
|
|
|
|
|
|
LA78040 |
|
TV кадpовая pазвеpтка (70V, Ipp=1.8A)
|
SAN
|
|
|
|
|
|
TDA7384 |
|
УHЧ 4x25W BTL (14.4V/4 Ом), max 4x33W, Gv=26dB
|
ST MICROELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
TDA7384 |
|
УHЧ 4x25W BTL (14.4V/4 Ом), max 4x33W, Gv=26dB
|
|
|
383.96
|
|
|
|
TDA7384 |
|
УHЧ 4x25W BTL (14.4V/4 Ом), max 4x33W, Gv=26dB
|
МАЛАЙЗИЯ
|
|
|
|
|
|
TDA7384 |
|
УHЧ 4x25W BTL (14.4V/4 Ом), max 4x33W, Gv=26dB
|
ST1
|
|
|
|
|
|
TDA7384 |
|
УHЧ 4x25W BTL (14.4V/4 Ом), max 4x33W, Gv=26dB
|
STMICROELECTR
|
|
|
|