|
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
1N5818 |
|
Диод Шоттки 30В, 1A, 25A
|
MICRO SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
1N5818 |
|
Диод Шоттки 30В, 1A, 25A
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
1N5818 |
|
Диод Шоттки 30В, 1A, 25A
|
GENERAL INSTRUMENT
|
|
|
|
|
|
1N5818 |
|
Диод Шоттки 30В, 1A, 25A
|
GENERAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
1N5818 |
|
Диод Шоттки 30В, 1A, 25A
|
LITE ON OPTOELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
1N5818 |
|
Диод Шоттки 30В, 1A, 25A
|
MOTOROLA
|
|
|
|
|
|
1N5818 |
|
Диод Шоттки 30В, 1A, 25A
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
1N5818 |
|
Диод Шоттки 30В, 1A, 25A
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
1N5818 |
|
Диод Шоттки 30В, 1A, 25A
|
|
24 577
|
1.71
|
|
|
|
1N5818 |
|
Диод Шоттки 30В, 1A, 25A
|
ST MICROELECTRONICS
|
3 974
|
15.83
|
|
|
|
1N5818 |
|
Диод Шоттки 30В, 1A, 25A
|
DC COMPONENTS
|
12 049
|
3.85
|
|
|
|
1N5818 |
|
Диод Шоттки 30В, 1A, 25A
|
SMK
|
|
|
|
|
|
1N5818 |
|
Диод Шоттки 30В, 1A, 25A
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
1N5818 |
|
Диод Шоттки 30В, 1A, 25A
|
FAIRCHILD
|
246
|
|
|
|
|
1N5818 |
|
Диод Шоттки 30В, 1A, 25A
|
GENERAL INSTRUMENT
|
|
|
|
|
|
1N5818 |
|
Диод Шоттки 30В, 1A, 25A
|
GENERAL SEMICONDUCTOR
|
172
|
|
|
|
|
1N5818 |
|
Диод Шоттки 30В, 1A, 25A
|
LITE ON OPTOELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
1N5818 |
|
Диод Шоттки 30В, 1A, 25A
|
MOTOROLA
|
4
|
|
|
|
|
1N5818 |
|
Диод Шоттки 30В, 1A, 25A
|
ON SEMICONDUCTOR
|
35
|
|
|
|
|
1N5818 |
|
Диод Шоттки 30В, 1A, 25A
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
1N5818 |
|
Диод Шоттки 30В, 1A, 25A
|
Fairchild Semiconductor
|
|
|
|
|
|
1N5818 |
|
Диод Шоттки 30В, 1A, 25A
|
Vishay/Semiconductors
|
|
|
|
|
|
1N5818 |
|
Диод Шоттки 30В, 1A, 25A
|
STMicroelectronics
|
|
|
|
|
|
1N5818 |
|
Диод Шоттки 30В, 1A, 25A
|
ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
|
|
|
|
|
|
1N5818 |
|
Диод Шоттки 30В, 1A, 25A
|
FAGOR
|
16
|
|
|
|
|
1N5818 |
|
Диод Шоттки 30В, 1A, 25A
|
КИТАЙ
|
26
|
9.45
|
|
|
|
1N5818 |
|
Диод Шоттки 30В, 1A, 25A
|
KINGTRONICS
|
|
|
|
|
|
1N5818 |
|
Диод Шоттки 30В, 1A, 25A
|
MASTER INSTRUMENT
|
400
|
9.45
|
|
|
|
1N5818 |
|
Диод Шоттки 30В, 1A, 25A
|
MIG
|
3 608
|
3.15
|
|
|
|
1N5818 |
|
Диод Шоттки 30В, 1A, 25A
|
LGE
|
3 120
|
2.07
|
|
|
|
1N5818 |
|
Диод Шоттки 30В, 1A, 25A
|
MIC
|
6 494
|
4.01
|
|
|
|
1N5818 |
|
Диод Шоттки 30В, 1A, 25A
|
YANGJIE
|
4 000
|
2 221.51
|
|
|
|
1N5818 |
|
Диод Шоттки 30В, 1A, 25A
|
HOTTECH
|
6 115
|
2 748.82
|
|
|
|
1N5818 |
|
Диод Шоттки 30В, 1A, 25A
|
TRR
|
|
|
|
|
|
1N5818 |
|
Диод Шоттки 30В, 1A, 25A
|
1
|
|
|
|
|
|
LM1117MP-5.0 |
|
Регулятор напряжения, LDO 5 V, tol=1%, I=0.8A, Vin(max)=20V, Udrop=1.2V@0.8A
|
NATIONAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
LM1117MP-5.0 |
|
Регулятор напряжения, LDO 5 V, tol=1%, I=0.8A, Vin(max)=20V, Udrop=1.2V@0.8A
|
|
|
48.96
|
|
|
|
LM1117MP-5.0 |
|
Регулятор напряжения, LDO 5 V, tol=1%, I=0.8A, Vin(max)=20V, Udrop=1.2V@0.8A
|
NSC
|
|
|
|
|
|
LM1117MP-5.0 |
|
Регулятор напряжения, LDO 5 V, tol=1%, I=0.8A, Vin(max)=20V, Udrop=1.2V@0.8A
|
TEXAS INSTRUMENTS
|
|
|
|
|
|
LM1117MP-5.0 |
|
Регулятор напряжения, LDO 5 V, tol=1%, I=0.8A, Vin(max)=20V, Udrop=1.2V@0.8A
|
NATIONAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
LP2951 |
|
|
UTC
|
|
|
|
|
|
MMBTA42LT1G |
|
Транзистор NPN (Uce=300V, Ic=500mA, P=225mW, B>40@I=10mA, f=50MHz, -55 to +150C), Pb-free.
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
MMBTA42LT1G |
|
Транзистор NPN (Uce=300V, Ic=500mA, P=225mW, B>40@I=10mA, f=50MHz, -55 to +150C), Pb-free.
|
ONS
|
41 721
|
4.36
|
|
|
|
MMBTA42LT1G |
|
Транзистор NPN (Uce=300V, Ic=500mA, P=225mW, B>40@I=10mA, f=50MHz, -55 to +150C), Pb-free.
|
ON SEMICONDUCTOR
|
160
|
|
|
|
|
MMBTA42LT1G |
|
Транзистор NPN (Uce=300V, Ic=500mA, P=225mW, B>40@I=10mA, f=50MHz, -55 to +150C), Pb-free.
|
ON SEMICONDUCTO
|
|
|
|
|
|
MMBTA42LT1G |
|
Транзистор NPN (Uce=300V, Ic=500mA, P=225mW, B>40@I=10mA, f=50MHz, -55 to +150C), Pb-free.
|
ONSEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
MMBTA42LT1G |
|
Транзистор NPN (Uce=300V, Ic=500mA, P=225mW, B>40@I=10mA, f=50MHz, -55 to +150C), Pb-free.
|
|
47 936
|
2.03
|
|
|
|
MMBTA92LT1G |
|
Транзистор PNP (Uce=300V, Ic=500mA, P=225mW, B>40@I=10mA, f=50MHz, -55 to +150C)
|
ON SEMICONDUCTOR
|
12
|
2.48
|
|
|
|
MMBTA92LT1G |
|
Транзистор PNP (Uce=300V, Ic=500mA, P=225mW, B>40@I=10mA, f=50MHz, -55 to +150C)
|
ONS
|
42 376
|
5.01
|
|
|
|
MMBTA92LT1G |
|
Транзистор PNP (Uce=300V, Ic=500mA, P=225mW, B>40@I=10mA, f=50MHz, -55 to +150C)
|
|
|
7.20
|
|
|
|
MMBTA92LT1G |
|
Транзистор PNP (Uce=300V, Ic=500mA, P=225mW, B>40@I=10mA, f=50MHz, -55 to +150C)
|
ON SEMICONDUCTOR
|
1 003
|
|
|
|
|
MMBTA92LT1G |
|
Транзистор PNP (Uce=300V, Ic=500mA, P=225mW, B>40@I=10mA, f=50MHz, -55 to +150C)
|
GALAXY
|
|
|
|
|
|
MMBTA92LT1G |
|
Транзистор PNP (Uce=300V, Ic=500mA, P=225mW, B>40@I=10mA, f=50MHz, -55 to +150C)
|
ON SEMICONDUCTO
|
|
|
|
|
|
MMBTA92LT1G |
|
Транзистор PNP (Uce=300V, Ic=500mA, P=225mW, B>40@I=10mA, f=50MHz, -55 to +150C)
|
ONSEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
MMBTA92LT1G |
|
Транзистор PNP (Uce=300V, Ic=500mA, P=225mW, B>40@I=10mA, f=50MHz, -55 to +150C)
|
0.00
|
|
|
|