M93C66-WDW6TP
|
Версия для печати
| Корпус | 8-TSSOP |
| Корпус (размер) | 8-TSSOP |
| Рабочая температура | -40°C ~ 85°C |
| Напряжение питания | 2.5 V ~ 5.5 V |
| Интерфейс подключения | Microwire, 3-Wire Serial |
| Скорость | 2MHz |
| Объем памяти | 4K (512 x 8 or 256 x 16) |
| Тип памяти | EEPROM |
| Формат памяти | EEPROMs - Serial |
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
С этим товаром покупают:
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
 |
IRF1404S |
|
Транзистор полевой N-канальный MOSFET | INTERNATIONAL RECTIFIER |
|
|
|
|
|
|
IRF1404S |
|
Транзистор полевой N-канальный MOSFET |
|
185.96 | ||
|
|
|
IRF1404S |
|
Транзистор полевой N-канальный MOSFET | МЕКСИКА |
|
|
|
| LM217LD13TR | ST MICROELECTRONICS | 5 400 | 17.58 | |||||
| LM217LD13TR | ST MICROELECTRONICS SEMI |
|
|
|||||
| LM217LD13TR | STMicroelectronics |
|
|
|||||
| LM217LD13TR |
|
|
||||||
| LM217LD13TR | КИТАЙ |
|
|
|||||
| M93C76-WMN6TP | ST MICROELECTRONICS | 168 | 16.05 | |||||
| M93C76-WMN6TP | STMicroelectronics |
|
|
|||||
| M93C76-WMN6TP |
|
|
||||||
| M93C76-WMN6TP | ST MICROELECTRO |
|
|
|||||
| M95080-WMN6TP | ST MICROELECTRONICS | 2 | 53.14 | |||||
| M95080-WMN6TP |
|
35.00 | ||||||
| M95080-WMN6TP | ST MICROELECTRONICS SEMI | 298 |
|
|||||
| M95080-WMN6TP | STMicroelectronics |
|
|
|||||
| M95080-WMN6TP | КИТАЙ |
|
|
|||||
| M95080-WMN6TP | ST MICROELECTRO |
|
|
|||||
| M95080-WMN6TP | STMICROELECTR |
|
|
|||||
| M95320-WDW6TP | ST MICROELECTRONICS |
|
|
|||||
| M95320-WDW6TP | STMicroelectronics |
|
|
|||||
| M95320-WDW6TP | ST MICROELECTRONICS SEMI |
|
|
|||||
| M95320-WDW6TP |
|
|
