Версия для печати
Технические характеристики MJE5850

Lead Free Status / RoHS Status	Contains lead / RoHS non-compliant
Серия	SWITCHMODE™
Transistor Type	PNP
Current - Collector (Ic) (Max)	8A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)	300V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic	5V @ 3A, 8A
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce	5 @ 5A, 5V
Power - Max	80W
Тип монтажа	Выводной
Корпус (размер)	TO-220-3
Корпус	TO-220AB

КАТАЛОГ

 » 

ИМПОРТНЫЕ ЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ

 » 

Полупроводники

 » 

Транзисторы

 » 

Транзисторы (биполярные) - одиночные

С этим товаром покупают:

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		2N5416		Транзистор S-P 350В 1A 50МГц TO5			108.00
		2N5416		Транзистор S-P 350В 1A 50МГц TO5	ST MICROELECTRONICS
		2N5416		Транзистор S-P 350В 1A 50МГц TO5	PHILIPS
		2N5416		Транзистор S-P 350В 1A 50МГц TO5	PHILIPS
		2N5416		Транзистор S-P 350В 1A 50МГц TO5	ST MICROELECTRONICS SEMI
		2N5416		Транзистор S-P 350В 1A 50МГц TO5	STMicroelectronics
		2N5416		Транзистор S-P 350В 1A 50МГц TO5	ST MICROELECTRO
		2N5416		Транзистор S-P 350В 1A 50МГц TO5	MULTICOMP
		2P4M		SCR 400V, 2A, Igt=0.2mA	NEC
		2P4M		SCR 400V, 2A, Igt=0.2mA			34.00
		IRF5305PBF		Силовой МОП-Транзистор P-канальный Vси = -55 В, Rоткр = 0.06 Ом, Id(25°C) = -31A	INTERNATIONAL RECTIFIER
		IRF5305PBF		Силовой МОП-Транзистор P-канальный Vси = -55 В, Rоткр = 0.06 Ом, Id(25°C) = -31A	INTERNATIONAL RECTIFIER
		IRF5305PBF		Силовой МОП-Транзистор P-канальный Vси = -55 В, Rоткр = 0.06 Ом, Id(25°C) = -31A	INFINEON	837	81.67
		IRF5305PBF		Силовой МОП-Транзистор P-канальный Vси = -55 В, Rоткр = 0.06 Ом, Id(25°C) = -31A
		IRF5305PBF		Силовой МОП-Транзистор P-канальный Vси = -55 В, Rоткр = 0.06 Ом, Id(25°C) = -31A	IR/VISHAY	40	75.57
		СВЕРЛО 0.6 ММ					45.20
		СВЕРЛО 0.8 ММ					45.20

О компании

Контакты

Каталог

Как купить?

Доставка

Оплата

Вакансии

Вход

© 2002 - 2024 АО "Контест"