Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
Transistor Type | NPN - Pre-Biased |
Current - Collector (Ic) (Max) | 100mA |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50V |
Resistor - Base (R1) (Ohms) | 10K |
Resistor - Emitter Base (R2) (Ohms) | 10K |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 35 @ 5mA, 10V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 250mV @ 300µA, 10mA |
Current - Collector Cutoff (Max) | 500nA |
Power - Max | 246mW |
Тип монтажа | Поверхностный |
Корпус (размер) | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Корпус | SOT-23-3 |
Product Change Notification | Wire Change 14/Oct/2008 Possible Adhesion Issue 11/July/2008 |
|
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
MAX1694EUB |
|
|
|
|
308.80
|
|
|
|
MAX1694EUB |
|
|
Maxim Integrated Products
|
|
|
|
|
|
MMBT2222A |
|
Транзистор NPN 350мВт, 40В, 1А, 300МГц
|
DIODES
|
|
|
|
|
|
MMBT2222A |
|
Транзистор NPN 350мВт, 40В, 1А, 300МГц
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
MMBT2222A |
|
Транзистор NPN 350мВт, 40В, 1А, 300МГц
|
LITE ON OPTOELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
MMBT2222A |
|
Транзистор NPN 350мВт, 40В, 1А, 300МГц
|
NATIONAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
MMBT2222A |
|
Транзистор NPN 350мВт, 40В, 1А, 300МГц
|
ST MICROELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
MMBT2222A |
|
Транзистор NPN 350мВт, 40В, 1А, 300МГц
|
GENERAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
MMBT2222A |
|
Транзистор NPN 350мВт, 40В, 1А, 300МГц
|
UTC
|
|
|
|
|
|
MMBT2222A |
|
Транзистор NPN 350мВт, 40В, 1А, 300МГц
|
DIOTEC
|
25 412
|
2.47
|
|
|
|
MMBT2222A |
|
Транзистор NPN 350мВт, 40В, 1А, 300МГц
|
JIANGSU CHANJIANG ELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
MMBT2222A |
|
Транзистор NPN 350мВт, 40В, 1А, 300МГц
|
DC COMPONENTS
|
|
|
|
|
|
MMBT2222A |
|
Транзистор NPN 350мВт, 40В, 1А, 300МГц
|
NXP
|
|
|
|
|
|
MMBT2222A |
|
Транзистор NPN 350мВт, 40В, 1А, 300МГц
|
MCC
|
|
|
|
|
|
MMBT2222A |
|
Транзистор NPN 350мВт, 40В, 1А, 300МГц
|
STMicroelectronics
|
|
|
|
|
|
MMBT2222A |
|
Транзистор NPN 350мВт, 40В, 1А, 300МГц
|
ONS
|
|
|
|
|
|
MMBT2222A |
|
Транзистор NPN 350мВт, 40В, 1А, 300МГц
|
DIODES INC.
|
16
|
|
|
|
|
MMBT2222A |
|
Транзистор NPN 350мВт, 40В, 1А, 300МГц
|
FAIRCHILD
|
48
|
|
|
|
|
MMBT2222A |
|
Транзистор NPN 350мВт, 40В, 1А, 300МГц
|
DIOTEC SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
MMBT2222A |
|
Транзистор NPN 350мВт, 40В, 1А, 300МГц
|
|
48 968
|
1.76
>100 шт. 0.88
|
|
|
|
MMBT2222A |
|
Транзистор NPN 350мВт, 40В, 1А, 300МГц
|
PANJIT
|
|
|
|
|
|
MMBT2222A |
|
Транзистор NPN 350мВт, 40В, 1А, 300МГц
|
KLS
|
|
|
|
|
|
MMBT2222A |
|
Транзистор NPN 350мВт, 40В, 1А, 300МГц
|
HOTTECH
|
54 151
|
1.89
|
|
|
|
MMBT2222A |
|
Транзистор NPN 350мВт, 40В, 1А, 300МГц
|
SEMTECH
|
|
|
|
|
|
MMBT2222A |
|
Транзистор NPN 350мВт, 40В, 1А, 300МГц
|
YJ
|
45 588
|
1.26
|
|
|
|
MMBT2222A |
|
Транзистор NPN 350мВт, 40В, 1А, 300МГц
|
JSCJ
|
46 978
|
1.29
|
|
|
|
MMBT2222A |
|
Транзистор NPN 350мВт, 40В, 1А, 300МГц
|
ASEMI
|
6 048
|
1.08
|
|
|
|
MOC3062M |
|
Оптрон (Симисторный выход со схемой перехода через ``0``, Ift=10mA, Vdrm=600V(peak), ...
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
MOC3062M |
|
Оптрон (Симисторный выход со схемой перехода через ``0``, Ift=10mA, Vdrm=600V(peak), ...
|
FSC
|
|
|
|
|
|
MOC3062M |
|
Оптрон (Симисторный выход со схемой перехода через ``0``, Ift=10mA, Vdrm=600V(peak), ...
|
FAIRCHILD
|
13 047
|
25.20
|
|
|
|
MOC3062M |
|
Оптрон (Симисторный выход со схемой перехода через ``0``, Ift=10mA, Vdrm=600V(peak), ...
|
FAIRCHILD
|
61
|
|
|
|
|
MOC3062M |
|
Оптрон (Симисторный выход со схемой перехода через ``0``, Ift=10mA, Vdrm=600V(peak), ...
|
Fairchild Optoelectronics Group
|
|
|
|
|
|
MOC3062M |
|
Оптрон (Симисторный выход со схемой перехода через ``0``, Ift=10mA, Vdrm=600V(peak), ...
|
США
|
|
|
|
|
|
MOC3062M |
|
Оптрон (Симисторный выход со схемой перехода через ``0``, Ift=10mA, Vdrm=600V(peak), ...
|
СОЕДИНЕННЫЕ ШТА
|
|
|
|
|
|
MOC3062M |
|
Оптрон (Симисторный выход со схемой перехода через ``0``, Ift=10mA, Vdrm=600V(peak), ...
|
|
4 544
|
46.25
|
|
|
|
MOC3062M |
|
Оптрон (Симисторный выход со схемой перехода через ``0``, Ift=10mA, Vdrm=600V(peak), ...
|
ONS
|
3 828
|
69.12
|
|
|
|
MOC3062M |
|
Оптрон (Симисторный выход со схемой перехода через ``0``, Ift=10mA, Vdrm=600V(peak), ...
|
ONS-FAIR
|
|
|
|
|
|
MOC3062M |
|
Оптрон (Симисторный выход со схемой перехода через ``0``, Ift=10mA, Vdrm=600V(peak), ...
|
YOUTAI
|
6 179
|
18.21
|
|
|
|
MOC3062M |
|
Оптрон (Симисторный выход со схемой перехода через ``0``, Ift=10mA, Vdrm=600V(peak), ...
|
UMW
|
10 400
|
18.60
|
|
|
|
MOC3062M |
|
Оптрон (Симисторный выход со схемой перехода через ``0``, Ift=10mA, Vdrm=600V(peak), ...
|
1
|
|
|
|
|
|
NRP-12-A-12D-H |
|
|
NCR
|
|
|
|
|
|
TCRT1000 |
|
Датчик оптоэлектронный
|
VISHAY
|
995
|
83.34
|
|
|
|
TCRT1000 |
|
Датчик оптоэлектронный
|
|
4
|
146.15
|
|
|
|
TCRT1000 |
|
Датчик оптоэлектронный
|
Vishay/Semiconductors
|
|
|
|
|
|
TCRT1000 |
|
Датчик оптоэлектронный
|
ФИЛИППИНЫ
|
|
|
|