Версия для печати
Технические характеристики NCP1031DR2G
| Корпус | 8-SOICN |
| Корпус (размер) | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Рабочая температура | -40°C ~ 150°C |
| Мощность (Ватт) | 893mW |
| Напряжение выходное | 200V |
| Напряжение входное | 7.6 V ~ 16 V |
| Частотный диапозон | 260 ~ 325kHz |
| Изоляция выхода | Either |
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
 | СРГ50-273ФВ
Соединители (розетки) СРГ-75 предназначены для работы в электрических цепях радиочастотных трактов (частотой до 10МГц). СРГ-75 изготавливают в гермети...
46.00 руб Купить |
 | 2SC5589
Биполярный транзистор NPN hi-res, 1500V, 18A, 200W
Купить |
