|
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
2SA1186 |
|
Биполярный транзистор Si-P, 150V, 10A, 100W, 60MHz
|
NIPPON
|
|
|
|
|
|
2SA1186 |
|
Биполярный транзистор Si-P, 150V, 10A, 100W, 60MHz
|
SK
|
|
|
|
|
|
2SA1186 |
|
Биполярный транзистор Si-P, 150V, 10A, 100W, 60MHz
|
|
1
|
77.60
|
|
|
|
2SA1186 |
|
Биполярный транзистор Si-P, 150V, 10A, 100W, 60MHz
|
SANKEN
|
|
|
|
|
|
2SA1186 |
|
Биполярный транзистор Si-P, 150V, 10A, 100W, 60MHz
|
TOSHIBA
|
|
|
|
|
|
2SA1186 |
|
Биполярный транзистор Si-P, 150V, 10A, 100W, 60MHz
|
ISCSEMI
|
|
|
|
|
|
HV830LG-G |
|
HVCMOS, драйвер электролюминесцентных ламп
|
SUP
|
|
|
|
|
|
HV830LG-G |
|
HVCMOS, драйвер электролюминесцентных ламп
|
|
|
412.08
|
|
|
|
HV830LG-G |
|
HVCMOS, драйвер электролюминесцентных ламп
|
MICRO CHIP
|
80
|
178.50
|
|
|
|
IRG4PC40UD |
|
Транзистор IGBT+DI модуль единичный (Vce=600V, Ic=40A@t=25C, Ic=20A@t=100C, ...
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
47
|
653.40
|
|
|
|
IRG4PC40UD |
|
Транзистор IGBT+DI модуль единичный (Vce=600V, Ic=40A@t=25C, Ic=20A@t=100C, ...
|
|
|
491.08
|
|
|
|
IRG4PC40UD |
|
Транзистор IGBT+DI модуль единичный (Vce=600V, Ic=40A@t=25C, Ic=20A@t=100C, ...
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
IRG4PC40UD |
|
Транзистор IGBT+DI модуль единичный (Vce=600V, Ic=40A@t=25C, Ic=20A@t=100C, ...
|
INFINEON
|
|
|
|
|
|
UC3854BDW |
|
|
UNITRODE
|
|
|
|
|
|
UC3854BDW |
|
|
TEXAS INSTRUMENTS
|
|
|
|
|
|
UC3854BDW |
|
|
|
|
464.00
|
|
|
|
UC3854BDW |
|
|
TEXAS
|
|
|
|
|
|
ДИХЛОРЭТАН, 30 МЛ |
|
|
|
|
78.00
|
|