NE-2W 4X10

Версия для печати

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

С этим товаром покупают:

Наименование	Описание	Производитель	Цена, руб.
NE-2 4X10			2.56
NE-2 4X10			2.56
NE-2G 3X10
NE-2G 3X10
NE-2Y 4X10
NE-2Y 4X10
UF4003	Ультрабыстрый диод, монтаж в отверстия платы 1А, 200В, 0.05мкс	MICRO SEMICONDUCTOR
UF4003	Ультрабыстрый диод, монтаж в отверстия платы 1А, 200В, 0.05мкс	SENSITRON
UF4003	Ультрабыстрый диод, монтаж в отверстия платы 1А, 200В, 0.05мкс	SMK
UF4003	Ультрабыстрый диод, монтаж в отверстия платы 1А, 200В, 0.05мкс	DC COMPONENTS
UF4003	Ультрабыстрый диод, монтаж в отверстия платы 1А, 200В, 0.05мкс	GENERAL SEMICONDUCTOR
UF4003	Ультрабыстрый диод, монтаж в отверстия платы 1А, 200В, 0.05мкс		3.40
UF4003	Ультрабыстрый диод, монтаж в отверстия платы 1А, 200В, 0.05мкс	GENERAL SEMICONDUCTOR
UF4003	Ультрабыстрый диод, монтаж в отверстия платы 1А, 200В, 0.05мкс	Fairchild Semiconductor
UF4003	Ультрабыстрый диод, монтаж в отверстия платы 1А, 200В, 0.05мкс	ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
UF4003	Ультрабыстрый диод, монтаж в отверстия платы 1А, 200В, 0.05мкс	FAIRCHILD
UF4003	Ультрабыстрый диод, монтаж в отверстия платы 1А, 200В, 0.05мкс	КИТАЙ
UF4003	Ультрабыстрый диод, монтаж в отверстия платы 1А, 200В, 0.05мкс	YJ
КП303И	Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный полевой затвор на основе PN ...		38.64
КП303И	Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный полевой затвор на основе PN ...	ФОТОН
КП303И	Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный полевой затвор на основе PN ...	АЛЕКСАНДРОВ
КП303И	Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный полевой затвор на основе PN ...	ИНТЕГРАЛ