NTMS4800NR2G
|
|
Версия для печати
| Power - Max | 750mW |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 940pF @ 25V |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 7.7nC @ 4.5V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 4.9A |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 20 mOhm @ 7.5A, 10V |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| FET Type | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Корпус (размер) | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Корпус | 8-SOICN |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
С этим товаром покупают:
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| CDRH5D18-330NC | SUMIDA |
|
|
|||||
| CDRH5D18-330NC |
|
|
||||||
 |
 |
FDS4435 |
|
Транзистор MOSFET, P, 30В, 8,8А, 2,5Вт | FAIR |
|
|
|
|
|
|
FDS4435 |
|
Транзистор MOSFET, P, 30В, 8,8А, 2,5Вт | FSC |
|
|
|
|
|
|
FDS4435 |
|
Транзистор MOSFET, P, 30В, 8,8А, 2,5Вт | FAIRCHILD |
|
|
|
|
|
|
FDS4435 |
|
Транзистор MOSFET, P, 30В, 8,8А, 2,5Вт |
|
174.00 | ||
|
|
|
FDS4435 |
|
Транзистор MOSFET, P, 30В, 8,8А, 2,5Вт | FAIRCHILD |
|
|
|
|
|
|
FDS4435 |
|
Транзистор MOSFET, P, 30В, 8,8А, 2,5Вт | Fairchild Semiconductor |
|
|
|
|
|
|
FDS4435 |
|
Транзистор MOSFET, P, 30В, 8,8А, 2,5Вт | КИТАЙ |
|
|
|
|
|
|
FDS4435 |
|
Транзистор MOSFET, P, 30В, 8,8А, 2,5Вт | ONS |
|
|
|
| SI4835BDY-T1 | SILICONIX | 111 |
|
|||||
 |
|
STM32F100C8T6B |
|
ST MICROELECTRONICS | 501 | 279.53 | ||
|
|
|
STM32F100C8T6B |
|
1 072 | 196.66 | |||
|
|
|
STM32F100C8T6B |
|
STMicroelectronics |
|
|
||
|
|
|
STM32F100C8T6B |
|
МАЛАЙЗИЯ |
|
|
||
|
|
|
STM32F100C8T6B |
|
ST MICROELECTRONICS SEMI |
|
|
||
|
|
|
STM32F100C8T6B |
|
ST MICROELECTRO |
|
|
||
|
|
|
STM32F100C8T6B |
|
STMICROELECTR |
|
|
||
| ТОКОПРОВОДЯЩИЙ КЛЕЙ КОНТАКТОЛ 5Г |
|
|
