RGE1100

Версия для печати

Технические характеристики RGE1100

Lead Free Status / RoHS Status	Contains lead / RoHS non-compliant
Серия	PolySwitch®
Voltage - Max	16V
Current - Max	100A
Current - Hold (Ih) (Max)	11A
Current - Trip (It)	18.7A
R Min/Max	0.004 ~ 0.006 Ohm
Time to Trip	7s
Корпус (размер)	Radial

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

Наименование	Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.
293D106X9050D2TE3		VISHAY	1 600	83.64
293D106X9050D2TE3		SPRAGUE
293D106X9050D2TE3
BZX84C18LT1G		ON SEMICONDUCTOR
BZX84C18LT1G		ON SEMICONDUCTOR	255
BZX84C18LT1G		ONS
BZX84C18LT1G
BZX84C18LT1G		ON SEMICONDUCTO
SG3525ANG		ON SEMICONDUCTOR
SG3525ANG				100.00
SG3525ANG		ON SEMICONDUCTOR
SG3525ANG		ONS
SG3525ANG		ON SEMICONDUCTO
SG3525ANG		STMICROELECTR
SG3525ANG		ONSEMICONDUCTOR
STN2NF10	N-channel 100v - 0.23? - 2.4a - sot-223 stripfet™ ii power mosfet	ST MICROELECTRONICS	31	57.50
STN2NF10	N-channel 100v - 0.23? - 2.4a - sot-223 stripfet™ ii power mosfet	STMicroelectronics
STN2NF10	N-channel 100v - 0.23? - 2.4a - sot-223 stripfet™ ii power mosfet		15	57.60
STN2NF10	N-channel 100v - 0.23? - 2.4a - sot-223 stripfet™ ii power mosfet	ФИЛИППИНЫ
STN2NF10	N-channel 100v - 0.23? - 2.4a - sot-223 stripfet™ ii power mosfet	ST MICROELECTRONICS SEMI
STN3NF06L	N-channel 60 v, 0.07 ?, 4 a, sot-223 stripfet™ ii power mosfet	ST MICROELECTRONICS
STN3NF06L	N-channel 60 v, 0.07 ?, 4 a, sot-223 stripfet™ ii power mosfet	ST MICROELECTRONICS SEMI
STN3NF06L	N-channel 60 v, 0.07 ?, 4 a, sot-223 stripfet™ ii power mosfet	STMicroelectronics
STN3NF06L	N-channel 60 v, 0.07 ?, 4 a, sot-223 stripfet™ ii power mosfet