TC89101P

Название (производитель)	Доступно для заказа	Цена, руб.,без НДС	Купить
TC89101P (TOSHIBA)	26	193.80
TC89101P		170.52

Версия для печати

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

TC89101P

Serial E2prom

Производитель:
Toshiba Semiconductor
//www.semicon.toshiba.co.jp

TC89101P datasheet
408.88Kb
11стр.

Наименование	Описание	Производитель	Цена, руб.
2N2222A (PN2222A)	Транзистор NPN (40В, 0.6A, 0.625Вт, B:100-300)	МИНСК
2N2222A (PN2222A)	Транзистор NPN (40В, 0.6A, 0.625Вт, B:100-300)
BU808DFH	Биполярный транзистор - [ISOWATT218]; Тип: NPN, Darlington; UКЭ(макс): 700 В; ...	ST MICROELECTRONICS
BU808DFH	Биполярный транзистор - [ISOWATT218]; Тип: NPN, Darlington; UКЭ(макс): 700 В; ...		182.40
BU808DFH	Биполярный транзистор - [ISOWATT218]; Тип: NPN, Darlington; UКЭ(макс): 700 В; ...	ST MICROELECTRONICS SEMI
BU808DFH	Биполярный транзистор - [ISOWATT218]; Тип: NPN, Darlington; UКЭ(макс): 700 В; ...	ST1
IRFB11N50A	Транзистор полевой N-MOS+D 500V, 11A, 170W	INTERNATIONAL RECTIFIER
IRFB11N50A	Транзистор полевой N-MOS+D 500V, 11A, 170W	VISHAY
IRFB11N50A	Транзистор полевой N-MOS+D 500V, 11A, 170W		107.60
IRFB11N50A	Транзистор полевой N-MOS+D 500V, 11A, 170W	INTERNATIONAL RECTIFIER
IRFB11N50A	Транзистор полевой N-MOS+D 500V, 11A, 170W	Vishay/Siliconix
IRFB11N50A	Транзистор полевой N-MOS+D 500V, 11A, 170W	КИТАЙ
ДУ GOLD STAR 105-230A
ДУ LG 6710V00070B