|
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
DF10S |
|
Диодный мост (V=1000В, I=1.0А@T=40C, Ifsm=50A)
|
FAI/QTC
|
|
|
|
|
|
DF10S |
|
Диодный мост (V=1000В, I=1.0А@T=40C, Ifsm=50A)
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
DF10S |
|
Диодный мост (V=1000В, I=1.0А@T=40C, Ifsm=50A)
|
GENERAL INSTRUMENT
|
|
|
|
|
|
DF10S |
|
Диодный мост (V=1000В, I=1.0А@T=40C, Ifsm=50A)
|
GENERAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
DF10S |
|
Диодный мост (V=1000В, I=1.0А@T=40C, Ifsm=50A)
|
DIODES
|
|
|
|
|
|
DF10S |
|
Диодный мост (V=1000В, I=1.0А@T=40C, Ifsm=50A)
|
FSC
|
|
|
|
|
|
DF10S |
|
Диодный мост (V=1000В, I=1.0А@T=40C, Ifsm=50A)
|
|
81 877
|
3.88
|
|
|
|
DF10S |
|
Диодный мост (V=1000В, I=1.0А@T=40C, Ifsm=50A)
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
DF10S |
|
Диодный мост (V=1000В, I=1.0А@T=40C, Ifsm=50A)
|
GALAXY
|
|
|
|
|
|
DF10S |
|
Диодный мост (V=1000В, I=1.0А@T=40C, Ifsm=50A)
|
DIODES INC.
|
406
|
|
|
|
|
DF10S |
|
Диодный мост (V=1000В, I=1.0А@T=40C, Ifsm=50A)
|
FAIRCHILD
|
23
|
|
|
|
|
DF10S |
|
Диодный мост (V=1000В, I=1.0А@T=40C, Ifsm=50A)
|
GENERAL INSTRUMENT
|
|
|
|
|
|
DF10S |
|
Диодный мост (V=1000В, I=1.0А@T=40C, Ifsm=50A)
|
GENERAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
DF10S |
|
Диодный мост (V=1000В, I=1.0А@T=40C, Ifsm=50A)
|
EIC
|
|
|
|
|
|
DF10S |
|
Диодный мост (V=1000В, I=1.0А@T=40C, Ifsm=50A)
|
LITE ON OPTOELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
DF10S |
|
Диодный мост (V=1000В, I=1.0А@T=40C, Ifsm=50A)
|
Fairchild Semiconductor
|
|
|
|
|
|
DF10S |
|
Диодный мост (V=1000В, I=1.0А@T=40C, Ifsm=50A)
|
Diodes Inc
|
|
|
|
|
|
DF10S |
|
Диодный мост (V=1000В, I=1.0А@T=40C, Ifsm=50A)
|
Vishay/Semiconductors
|
|
|
|
|
|
DF10S |
|
Диодный мост (V=1000В, I=1.0А@T=40C, Ifsm=50A)
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
DF10S |
|
Диодный мост (V=1000В, I=1.0А@T=40C, Ifsm=50A)
|
YJ
|
7 927
|
5.12
|
|
|
|
DF10S |
|
Диодный мост (V=1000В, I=1.0А@T=40C, Ifsm=50A)
|
SEP
|
|
|
|
|
|
DF10S |
|
Диодный мост (V=1000В, I=1.0А@T=40C, Ifsm=50A)
|
LITE-ON SEMICONDUCTOR CORP
|
16 000
|
|
|
|
|
DF10S |
|
Диодный мост (V=1000В, I=1.0А@T=40C, Ifsm=50A)
|
ONS
|
|
|
|
|
|
DF10S |
|
Диодный мост (V=1000В, I=1.0А@T=40C, Ifsm=50A)
|
ONS-FAIR
|
|
|
|
|
|
DF10S |
|
Диодный мост (V=1000В, I=1.0А@T=40C, Ifsm=50A)
|
HOTTECH
|
24 336
|
4.57
|
|
|
|
DF10S |
|
Диодный мост (V=1000В, I=1.0А@T=40C, Ifsm=50A)
|
MULTICOMP
|
|
|
|
|
|
DF10S |
|
Диодный мост (V=1000В, I=1.0А@T=40C, Ifsm=50A)
|
YANGJIE (YJ)
|
|
|
|
|
|
DF10S |
|
Диодный мост (V=1000В, I=1.0А@T=40C, Ifsm=50A)
|
MASTER INSTRUMENT CO
|
3 652
|
14.21
|
|
|
|
DF10S |
|
Диодный мост (V=1000В, I=1.0А@T=40C, Ifsm=50A)
|
LGE
|
7 171
|
14.72
|
|
|
|
DF10S |
|
Диодный мост (V=1000В, I=1.0А@T=40C, Ifsm=50A)
|
ASEMI
|
|
|
|
|
|
DF10S |
|
Диодный мост (V=1000В, I=1.0А@T=40C, Ifsm=50A)
|
SUNTAN
|
8 341
|
5.99
|
|
|
|
DF10S |
|
Диодный мост (V=1000В, I=1.0А@T=40C, Ifsm=50A)
|
TRR
|
14 400
|
3.78
|
|
|
|
KBU6K |
|
Диодный мост, Тип моста однофазный, IF(AV) =6A, VDC,В =800V, VF,В =1V, IR,мкА =5@25C
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
KBU6K |
|
Диодный мост, Тип моста однофазный, IF(AV) =6A, VDC,В =800V, VF,В =1V, IR,мкА =5@25C
|
DC COMPONENTS
|
4 981
|
68.13
|
|
|
|
KBU6K |
|
Диодный мост, Тип моста однофазный, IF(AV) =6A, VDC,В =800V, VF,В =1V, IR,мкА =5@25C
|
DIOTEC
|
|
|
|
|
|
KBU6K |
|
Диодный мост, Тип моста однофазный, IF(AV) =6A, VDC,В =800V, VF,В =1V, IR,мкА =5@25C
|
|
139
|
51.04
|
|
|
|
KBU6K |
|
Диодный мост, Тип моста однофазный, IF(AV) =6A, VDC,В =800V, VF,В =1V, IR,мкА =5@25C
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
KBU6K |
|
Диодный мост, Тип моста однофазный, IF(AV) =6A, VDC,В =800V, VF,В =1V, IR,мкА =5@25C
|
FAIRCHILD
|
51
|
|
|
|
|
KBU6K |
|
Диодный мост, Тип моста однофазный, IF(AV) =6A, VDC,В =800V, VF,В =1V, IR,мкА =5@25C
|
Fairchild Semiconductor
|
|
|
|
|
|
KBU6K |
|
Диодный мост, Тип моста однофазный, IF(AV) =6A, VDC,В =800V, VF,В =1V, IR,мкА =5@25C
|
ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
|
|
|
|
|
|
LM4818M |
|
Усилитель мощности аудио 350мВт
|
NATIONAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
LM4818M |
|
Усилитель мощности аудио 350мВт
|
NSC
|
|
|
|
|
|
LM4818M |
|
Усилитель мощности аудио 350мВт
|
|
|
52.52
|
|
|
|
LM4818M |
|
Усилитель мощности аудио 350мВт
|
NATIONAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
SC04-11GWA |
|
7-cегментный светодиод, общий катод, 10,16mm, зеленый (568 нм), белый сегмент на сером ...
|
KB
|
|
|
|
|
|
SC04-11GWA |
|
7-cегментный светодиод, общий катод, 10,16mm, зеленый (568 нм), белый сегмент на сером ...
|
KINGBRIGHT
|
|
|
|
|
|
SC04-11GWA |
|
7-cегментный светодиод, общий катод, 10,16mm, зеленый (568 нм), белый сегмент на сером ...
|
|
|
62.80
|
|
|
|
SC04-11GWA |
|
7-cегментный светодиод, общий катод, 10,16mm, зеленый (568 нм), белый сегмент на сером ...
|
Kingbright Corp
|
|
|
|
|
|
SC04-11GWA |
|
7-cегментный светодиод, общий катод, 10,16mm, зеленый (568 нм), белый сегмент на сером ...
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
ULN2003ADR2G |
|
7 нижних ключей на составных транзисторах (вход - 5В TTL, CMOS: выход - 50В, 0.5A, ...
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
ULN2003ADR2G |
|
7 нижних ключей на составных транзисторах (вход - 5В TTL, CMOS: выход - 50В, 0.5A, ...
|
|
2 240
|
12.86
|
|
|
|
ULN2003ADR2G |
|
7 нижних ключей на составных транзисторах (вход - 5В TTL, CMOS: выход - 50В, 0.5A, ...
|
ONS
|
|
|
|
|
|
ULN2003ADR2G |
|
7 нижних ключей на составных транзисторах (вход - 5В TTL, CMOS: выход - 50В, 0.5A, ...
|
0.00
|
|
|
|