XY302V-04P 3.5MM ЛИФТ
|
|
Версия для печати
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
С этим товаром покупают:
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 1206 20 КОМ 5% | ROYAL OHM |
|
|
|||||
| 1206-20.0K 1% |
|
ЧИП — резистор | 1 456 |
1.44 >500 шт. 0.48 |
||||
 |
TZB4P300BA10B00 |
|
Murata Electronics North America |
|
|
|||
|
|
TZB4P300BA10B00 |
|
MURATA |
|
|
|||
|
|
TZB4P300BA10B00 |
|
|
|
||||
|
|
TZB4P300BA10B00 |
|
MUR |
|
|
|||
 |
|
КП303А |
|
Tранзистор полевой с затвором на основе p-n перехода и каналом n-типа. |
|
57.60 | ||
|
|
|
КП303А |
|
Tранзистор полевой с затвором на основе p-n перехода и каналом n-типа. | ФОТОН | 15 770 | 25.20 | |
|
|
|
КП303А |
|
Tранзистор полевой с затвором на основе p-n перехода и каналом n-типа. | АЛЕКСАНДРОВ |
|
|
|
|
|
|
КП303А |
|
Tранзистор полевой с затвором на основе p-n перехода и каналом n-типа. | RUS |
|
|
|
|
|
|
КП303А |
|
Tранзистор полевой с затвором на основе p-n перехода и каналом n-типа. | ЭЛЕКС | 532 | 117.18 | |
 |
КП303Д |
|
Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные полевые с затвором на основе ... | 996 | 34.02 | |||
|
|
КП303Д |
|
Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные полевые с затвором на основе ... | ФОТОН |
|
|
||
|
|
КП303Д |
|
Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные полевые с затвором на основе ... | АЛЕКСАНДРОВ |
|
|
