ДМ-1,2-5 МКГН-10%
|
|
Версия для печати
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
С этим товаром покупают:
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| MV104 | 647 | 21.00 | ||||||
| MV104 | ON Semiconductor |
|
|
|||||
| MV104 | 647 | 21.00 | ||||||
 |
 |
ГД507А |
|
Диод импульсный для монтажа в отв. платы, Uоб/Uимп - 20/30В, Iпр/I обр 16мА/100мкА |
|
4.80 | ||
|
|
|
ГД507А |
|
Диод импульсный для монтажа в отв. платы, Uоб/Uимп - 20/30В, Iпр/I обр 16мА/100мкА | ЭЛЕКС |
|
|
|
| ДМ-0,1-40 МКГН-5% | 1 524 | 3.52 | ||||||
 |
КТ3109А | 809 | 25.50 | |||||
|
|
КТ3109А | РИГА | 15 013 | 6.00 | ||||
|
|
КТ3109А | RUS |
|
|
||||
 |
КТ368А |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный | 1 | 11.90 | |||
|
|
КТ368А |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный | СВЕТЛАНА |
|
|
||
|
|
КТ368А |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный | ДАЛЕКС |
|
|
||
|
|
КТ368А |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный | АЛЕКСАНДРОВ |
|
|
