|
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
3224W-1-503 |
|
Подстроечный резистор 50K
|
BOURNS
|
|
|
|
|
|
3224W-1-503 |
|
Подстроечный резистор 50K
|
BI TECHNOLOGIES
|
1
|
81.87
|
|
|
|
3224W-1-503 |
|
Подстроечный резистор 50K
|
BI
|
|
|
|
|
|
3224W-1-503 |
|
Подстроечный резистор 50K
|
|
|
164.80
|
|
|
|
3224W-1-503 |
|
Подстроечный резистор 50K
|
КОСТА-РИКА
|
|
|
|
|
|
LM1117MP-5.0/NOPB |
|
Регулятор напряжения, LDO 5 V, tol=1%, I=0.8A, Vin(max)=20V, Udrop=1.2V@0.8A
|
NATIONAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
LM1117MP-5.0/NOPB |
|
Регулятор напряжения, LDO 5 V, tol=1%, I=0.8A, Vin(max)=20V, Udrop=1.2V@0.8A
|
NSC
|
|
|
|
|
|
LM1117MP-5.0/NOPB |
|
Регулятор напряжения, LDO 5 V, tol=1%, I=0.8A, Vin(max)=20V, Udrop=1.2V@0.8A
|
NATIONAL SEMICONDUCTOR
|
352
|
|
|
|
|
LM1117MP-5.0/NOPB |
|
Регулятор напряжения, LDO 5 V, tol=1%, I=0.8A, Vin(max)=20V, Udrop=1.2V@0.8A
|
TEXAS INSTRUMEN
|
|
|
|
|
|
LM1117MP-5.0/NOPB |
|
Регулятор напряжения, LDO 5 V, tol=1%, I=0.8A, Vin(max)=20V, Udrop=1.2V@0.8A
|
TEXAS INSTRUMENTS
|
|
|
|
|
|
LM1117MP-5.0/NOPB |
|
Регулятор напряжения, LDO 5 V, tol=1%, I=0.8A, Vin(max)=20V, Udrop=1.2V@0.8A
|
TEXAS
|
|
|
|
|
|
LM1117MP-5.0/NOPB |
|
Регулятор напряжения, LDO 5 V, tol=1%, I=0.8A, Vin(max)=20V, Udrop=1.2V@0.8A
|
|
4
|
|
|
|
|
К155ЛА18 |
|
|
|
1 105
|
51.00
|
|
|
|
К155ЛА18 |
|
|
ПЛАНЕТА
|
7 551
|
8.00
|
|
|
|
К155ЛА18 |
|
|
RUS
|
|
|
|
|
|
КТ972Б |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный
|
|
2
|
35.20
|
|
|
|
КТ972Б |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный
|
ТРАНЗИСТОР
|
|
|
|
|
|
КТ972Б |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный
|
МИНСК
|
8 408
|
34.00
|
|
|
|
КТ972Б |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный
|
ТРАНЗИСТОР МИНСК
|
|
|
|
|
|
КТ972Б |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный
|
ЗПП МИНСК
|
|
|
|
|
|
КТ972Б |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный
|
ИНТЕГРАЛ
|
|
|
|
|
|
КТ972Б |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный
|
ИНТЕГРАЛ-С
|
|
|
|
|
|
КТ973Б |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный
|
|
2 695
|
28.88
|
|
|
|
КТ973Б |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный
|
МИНСК
|
2 204
|
38.00
|
|
|
|
КТ973Б |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный
|
ТРАНЗИСТОР
|
|
|
|
|
|
КТ973Б |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный
|
ЗПП МИНСК
|
|
|
|
|
|
КТ973Б |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный
|
ИНТЕГРАЛ
|
|
|
|
|
|
КТ973Б |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный
|
ИНТЕГРАЛ-С
|
|
|
|
|
|
КТ973Б |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный
|
RUS
|
|
|
|
|
|
КТ973Б |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный
|
ЭКСИТОН
|
|
|
|
|
|
КТ973Б |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный
|
VBYCR
|
|
|
|