С2-29В-0,125-81,6 КОМ-0,1%

Версия для печати

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

Наименование	Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.
2SC4793	Транзистор NPN (Uce=230V, Ic=1A, P=20W, B=100-320@I=100mA, f=100MHz, -55 to +150C), ...	TOSHIBA
2SC4793	Транзистор NPN (Uce=230V, Ic=1A, P=20W, B=100-320@I=100mA, f=100MHz, -55 to +150C), ...		1 282	22.01
2SC4793	Транзистор NPN (Uce=230V, Ic=1A, P=20W, B=100-320@I=100mA, f=100MHz, -55 to +150C), ...	TOS
2SC4793	Транзистор NPN (Uce=230V, Ic=1A, P=20W, B=100-320@I=100mA, f=100MHz, -55 to +150C), ...	СИНГАПУР
2SC4793	Транзистор NPN (Uce=230V, Ic=1A, P=20W, B=100-320@I=100mA, f=100MHz, -55 to +150C), ...	ISC	363	82.14
ATTINY24A-PU		Atmel
ATTINY24A-PU
ATTINY24A-PU		MICRO CHIP
CS4398-CZZ TSSOP28
L/H KSS213C	Лазерная головка для CD	SONY
L/H KSS213C	Лазерная головка для CD			848.00
L/H KSS213C	Лазерная головка для CD	UNKNOWN
MCR100-8G	Тиристор 600В 0,8А	ON SEMICONDUCTOR	3 816	10.00
MCR100-8G	Тиристор 600В 0,8А		5 440	4.34
MCR100-8G	Тиристор 600В 0,8А	ONS
MCR100-8G	Тиристор 600В 0,8А	ON SEMICONDUCTOR
MCR100-8G	Тиристор 600В 0,8А	ON SEMICONDUCTO
MCR100-8G	Тиристор 600В 0,8А	LITTELFUSE