С2-36-0,125-25,5 КОМ-0,5%
|
|
Версия для печати
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
С этим товаром покупают:
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
 |
MR856G |
|
Силовой диод 600В, 3А, 300нс | ON SEMICONDUCTOR |
|
|
|
|
|
|
MR856G |
|
Силовой диод 600В, 3А, 300нс | ON SEMICONDUCTOR |
|
|
|
|
|
|
MR856G |
|
Силовой диод 600В, 3А, 300нс | ONS |
|
|
|
|
|
|
MR856G |
|
Силовой диод 600В, 3А, 300нс |
|
41.96 | ||
| SCZ-1 | BM | 289 | 491.18 | |||||
| SCZ-1 | 28 | 554.40 | ||||||
| SCZ-1 | КИТАЙ |
|
|
|||||
| TSRN 1-2433SM | TRACO | 30 | 1 774.06 | |||||
| TSRN 1-2433SM |
|
|
||||||
 |
|
КТ3117А |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n импульсный, для ... | 5 | 228.80 | ||
|
|
|
КТ3117А |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n импульсный, для ... | МИНСК |
|
|
|
|
|
|
КТ3117А |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n импульсный, для ... | ДАЛЕКС |
|
|
|
|
|
|
КТ3117А |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n импульсный, для ... | RUS |
|
|
|
| С2-36-0,125-4,02 КОМ-0,5% | 944 | 7.04 |
