|
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
BB134 |
|
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
BB134 |
|
|
NXP
|
|
|
|
|
|
BB134 |
|
|
|
|
20.00
|
|
|
|
BB134 |
|
|
PHILIPS
|
1 951
|
|
|
|
|
FQP50N06 |
|
Силовой транзистор N-MOS 60V, 50A, 120W
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
FQP50N06 |
|
Силовой транзистор N-MOS 60V, 50A, 120W
|
FSC
|
|
|
|
|
|
FQP50N06 |
|
Силовой транзистор N-MOS 60V, 50A, 120W
|
FAI/QTC
|
|
|
|
|
|
FQP50N06 |
|
Силовой транзистор N-MOS 60V, 50A, 120W
|
|
320
|
28.78
|
|
|
|
FQP50N06 |
|
Силовой транзистор N-MOS 60V, 50A, 120W
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
FQP50N06 |
|
Силовой транзистор N-MOS 60V, 50A, 120W
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
FQP50N06 |
|
Силовой транзистор N-MOS 60V, 50A, 120W
|
Fairchild Semiconductor
|
|
|
|
|
|
FQP50N06 |
|
Силовой транзистор N-MOS 60V, 50A, 120W
|
FSC1
|
|
|
|
|
|
FQP50N06 |
|
Силовой транзистор N-MOS 60V, 50A, 120W
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
FQP50N06 |
|
Силовой транзистор N-MOS 60V, 50A, 120W
|
ON SEMI/FAIRCH
|
|
|
|
|
|
FQP50N06 |
|
Силовой транзистор N-MOS 60V, 50A, 120W
|
ONSEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
FQP50N06 |
|
Силовой транзистор N-MOS 60V, 50A, 120W
|
ONS
|
|
|
|
|
|
FQP50N06 |
|
Силовой транзистор N-MOS 60V, 50A, 120W
|
ONS-FAIR
|
|
|
|
|
|
MF-0.25-1.0K 1% |
|
Резистор постоянный непроволочный металлодиэлектрический 0,25Вт, 1кОм, 1%
|
CHINA
|
|
|
|
|
|
MF-0.25-1.0K 1% |
|
Резистор постоянный непроволочный металлодиэлектрический 0,25Вт, 1кОм, 1%
|
|
|
2.80
|
|
|
|
TDA7050T |
|
Усилитель низкой частоты 2x75mW (4.5V/32 Ом)
|
NXP
|
|
|
|
|
|
TDA7050T |
|
Усилитель низкой частоты 2x75mW (4.5V/32 Ом)
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
TDA7050T |
|
Усилитель низкой частоты 2x75mW (4.5V/32 Ом)
|
|
|
75.40
|
|
|
|
TDA7050T |
|
Усилитель низкой частоты 2x75mW (4.5V/32 Ом)
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
TDA7050T |
|
Усилитель низкой частоты 2x75mW (4.5V/32 Ом)
|
ФИЛИППИНЫ
|
|
|
|
|
|
TLV2761IDBVR |
|
|
Texas Instruments
|
|
|
|