IRF8010S
Hexfet power mosfets discrete n-channel
|
|
Версия для печати
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Серия | HEXFET® |
| FET Type | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| FET Feature | Standard |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 15 mOhm @ 45A, 10V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 80A |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 120nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 3830pF @ 25V |
| Power - Max | 260W |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Корпус (размер) | TO-263-3, D²Pak (2 leads + Tab), TO-263AB |
| Корпус | D2PAK |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
|
IRF8010S (MOSFET) HEXFET Power MOSFETs Discrete N-Channel
Производитель:
|
С этим товаром покупают:
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 2512-27КJ | FAITHFUL LINK |
|
|
|||||
| EFD25 N87 B66421-G-X187 | EPCOS |
|
|
|||||
| EFD25 N87 B66421-G-X187 |
|
48.00 | ||||||
| MCA9H2.5-470 | ACP |
|
|
|||||
| MCA9H2.5-470 |
|
56.96 | ||||||
| MCA9H2.5-500К | ACP |
|
|
|||||
| MCA9H2.5-500К |
|
56.96 |
