Версия для печати

2SC5583 (Биполярные транзисторы) Silicon Npn Triple Diffusion Mesa Type Производитель: Panasonic Semiconductor //www.panasonic.co.jp 2SC5583 datasheet 48.66Kb 1стр.

КАТАЛОГ

 » 

ИМПОРТНЫЕ ЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ

 » 

Полупроводники

 » 

Транзисторы

С этим товаром покупают:

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		IRFP460		N-канальный Полевой транзистор (Vds=500V, Id=20A@T=25C, Id=13A@T=100C, Rds=0.27 ...	INTERNATIONAL RECTIFIER
		IRFP460		N-канальный Полевой транзистор (Vds=500V, Id=20A@T=25C, Id=13A@T=100C, Rds=0.27 ...	VISHAY
		IRFP460		N-канальный Полевой транзистор (Vds=500V, Id=20A@T=25C, Id=13A@T=100C, Rds=0.27 ...			300.00
		IRFP460		N-канальный Полевой транзистор (Vds=500V, Id=20A@T=25C, Id=13A@T=100C, Rds=0.27 ...	IXYS
		IRFP460		N-канальный Полевой транзистор (Vds=500V, Id=20A@T=25C, Id=13A@T=100C, Rds=0.27 ...	Vishay/Siliconix
		IRFP460		N-канальный Полевой транзистор (Vds=500V, Id=20A@T=25C, Id=13A@T=100C, Rds=0.27 ...	STMicroelectronics
		IRFP460		N-канальный Полевой транзистор (Vds=500V, Id=20A@T=25C, Id=13A@T=100C, Rds=0.27 ...	КИТАЙ
		IRFP460		N-канальный Полевой транзистор (Vds=500V, Id=20A@T=25C, Id=13A@T=100C, Rds=0.27 ...	INTERSIL
		IRFP460		N-канальный Полевой транзистор (Vds=500V, Id=20A@T=25C, Id=13A@T=100C, Rds=0.27 ...	VBSEMI	18	228.08
		IRFPE50		N-канальный Полевой транзистор (Vds=800V, Id=7.8A@T=25C, Id=4.9A@T=100C, Rds=1.2 R, ...	INTERNATIONAL RECTIFIER
		IRFPE50		N-канальный Полевой транзистор (Vds=800V, Id=7.8A@T=25C, Id=4.9A@T=100C, Rds=1.2 R, ...	VISHAY
		IRFPE50		N-канальный Полевой транзистор (Vds=800V, Id=7.8A@T=25C, Id=4.9A@T=100C, Rds=1.2 R, ...		360	159.22
		IRFPE50		N-канальный Полевой транзистор (Vds=800V, Id=7.8A@T=25C, Id=4.9A@T=100C, Rds=1.2 R, ...	Vishay/Siliconix
		IRFPE50		N-канальный Полевой транзистор (Vds=800V, Id=7.8A@T=25C, Id=4.9A@T=100C, Rds=1.2 R, ...	КИТАЙ
		IRG4PC40UD		Транзистор IGBT+DI модуль единичный (Vce=600V, Ic=40A@t=25C, Ic=20A@t=100C, ...	INTERNATIONAL RECTIFIER	25	566.77
		IRG4PC40UD		Транзистор IGBT+DI модуль единичный (Vce=600V, Ic=40A@t=25C, Ic=20A@t=100C, ...			491.08
		IRG4PC40UD		Транзистор IGBT+DI модуль единичный (Vce=600V, Ic=40A@t=25C, Ic=20A@t=100C, ...	КИТАЙ
		IRG4PC40UD		Транзистор IGBT+DI модуль единичный (Vce=600V, Ic=40A@t=25C, Ic=20A@t=100C, ...	INFINEON
		IRG4PC50F		Транзистор IGBT модуль единичный	INTERNATIONAL RECTIFIER
		IRG4PC50F		Транзистор IGBT модуль единичный		1	432.00
		IRG4PC50F		Транзистор IGBT модуль единичный	ТАИЛАНД
		IRG4PC50F		Транзистор IGBT модуль единичный	МЕКСИКА
		IRG4PC50F		Транзистор IGBT модуль единичный	INFINEON
		IRG4PC50F		Транзистор IGBT модуль единичный	1
		IRG4PC50W		Транзистор IGBT модуль единичный 600V, 55A, 200W (WARP 60-150kHz)	INTERNATIONAL RECTIFIER
		IRG4PC50W		Транзистор IGBT модуль единичный 600V, 55A, 200W (WARP 60-150kHz)			380.84
		IRG4PC50W		Транзистор IGBT модуль единичный 600V, 55A, 200W (WARP 60-150kHz)	МЕКСИКА
		IRG4PC50W		Транзистор IGBT модуль единичный 600V, 55A, 200W (WARP 60-150kHz)	INFINEON

О компании

Контакты

Каталог

Как купить?

Доставка

Оплата

Вакансии

Вход

© 2002 - 2024 АО "Контест"