2SJ516

Название (производитель)	Доступно для заказа	Цена, руб.,без НДС	Купить
2SJ516 (TOSHIBA)	8	882.30
2SJ516		324.36

Версия для печати

Технические характеристики 2SJ516

Корпус	TO-220NIS
Корпус (размер)	2-10R1B
Power - Max	35W
Тип монтажа	Выводной
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	1120pF @ 10V
Gate Charge (Qg) @ Vgs	29nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id	3.5V @ 1mA
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	6.5A
Drain to Source Voltage (Vdss)	250V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	800 mOhm @ 3A, 10V
FET Feature	Standard
FET Type	MOSFET P-Channel, Metal Oxide
Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

2SJ516 (Универсальные биполярные PNP транзисторы)

P Channep Mos Type (high Speed, High Current Switching, Chopper Regulator, Dc-dc Converter and Motor Drive Applications)

Производитель:
Toshiba Semiconductor
//www.semicon.toshiba.co.jp

2SJ516 datasheet
287.05Kb
5стр.