2SK3569

Название (производитель)	Доступно для заказа	Цена, руб.,без НДС	Купить
2SK3569	16	61.60

Версия для печати

Технические характеристики 2SK3569

Lead Free Status / RoHS Status	Contains lead / RoHS non-compliant
FET Type	MOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET Feature	Standard
Rds On (Max) @ Id, Vgs	750 mOhm @ 5A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)	600V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	10A
Vgs(th) (Max) @ Id	4V @ 1mA
Gate Charge (Qg) @ Vgs	42nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	1500pF @ 25V
Power - Max	45W
Тип монтажа	Выводной
Корпус (размер)	TO-220 (SIS)
Корпус	TO-220SIS

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

2SK3569

Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type

Производитель:
Toshiba Semiconductor
//www.semicon.toshiba.co.jp

2SK3569 datasheet
153.17Kb
6стр.

Наименование	Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.
1000МКФ 25В (13X21, АКС)	Электролитический алюминиевый конденсатор 1000 мкФ 25В	CHANGZHOU HUA WEI ELECTRONICS
1000МКФ 25В (13X21, АКС)	Электролитический алюминиевый конденсатор 1000 мкФ 25В			33.60
ECAP 1000/25V 1021 105C	Электролитический алюминиевый конденсатор 1000мкФ, 25 В, 105С	JAMICON
ECAP 1000/25V 1021 105C	Электролитический алюминиевый конденсатор 1000мкФ, 25 В, 105С	JAM
ECAP 1000/25V 1021 105C	Электролитический алюминиевый конденсатор 1000мкФ, 25 В, 105С			18.28
ECAP 1000/25V 1021 105C	Электролитический алюминиевый конденсатор 1000мкФ, 25 В, 105С	SAMWHA
ECAP 1000/25V 1021 105C	Электролитический алюминиевый конденсатор 1000мкФ, 25 В, 105С	YAGEO
ECAP 1000/25V 1021 105C	Электролитический алюминиевый конденсатор 1000мкФ, 25 В, 105С	JB
RDX045N60FU6		Rohm Semiconductor
TEA1552T		PHILIPS
TEA1552T		PHILIPS	1
TEA1552T		NXP
TEA1552T
КОЛПАЧОК ДЛЯ RJ45 ЧЕРНЫЙ
КОЛПАЧОК ДЛЯ RJ45 ЧЕРНЫЙ