BC857B

Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, B=220-475@I=2mA, f>100MHz)

Название (производитель)	Доступно для заказа	Цена, руб.,без НДС
BC857B (NXP)	2 984	2.00
BC857B (DC COMPONENTS)	12 740	2.93
BC857B	34 846	1.84 >100 шт. 0.92
BC857B (DIOTEC)	18 386	2.89
BC857B (PHILIPS.)	486	3-4 недели Цена по запросу
BC857B (KOME)	1	1.97
BC857B (SUNTAN)	8 876	2.00 >100 шт. 1.00
BC857B (HOTTECH)	152 638	1.03
BC857B (NEX-NXP)	112	5.90
BC857B (YJ)	154 253	1.43

Маломощный P-N-P транзисторы с большим коэффициентом усиления ("супербетта") в корпусе для SMD монтажа. Применяются в самых широких областях электроники.

Структура     P-N-P
Uк-э.макс.     -45V
Uк-б.макс.     -50V
Iк.макс.     100mA
Iк.имп.макс.     200mA
Fгр.             100MHz
Pрасс.макс.     250mW
Cк     4,5pF(тип.)
Шумы     2dB(тип.)..10dB(макс.)
Iк.нач./Iэ.нач. < 15nA / 100nA
Hfe          220..475
Диапазон рабочих температур     -65..+150°С
Маркировка     3F
Аналог     ~КТ3130

Версия для печати

Технические характеристики BC857B

Lead Free Status / RoHS Status	Contains lead / RoHS non-compliant
Transistor Type	PNP
Current - Collector (Ic) (Max)	100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)	45V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic	650mV @ 5mA, 100mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce	220 @ 2mA, 5V
Power - Max	250mW
Frequency - Transition	100MHz
Тип монтажа	Поверхностный
Корпус (размер)	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Корпус	SOT-23-3

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, B=220-475@I=2mA, f>250MHz, -55 to +150C)

BC857B datasheet
79,19kB
13стр.

С этим товаром покупают:

Наименование	Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.
1N4148	Импульсный диод 150 мА,100В	MICRO SEMICONDUCTOR
1N4148	Импульсный диод 150 мА,100В	NXP	5 958	1.80 >100 шт. 0.90
1N4148	Импульсный диод 150 мА,100В	PHILIPS	78 541	2.00 >100 шт. 1.00
1N4148	Импульсный диод 150 мА,100В	FAIR
1N4148	Импульсный диод 150 мА,100В	GULF SEMICONDUCTOR
1N4148	Импульсный диод 150 мА,100В	LITE ON OPTOELECTRONICS
1N4148	Импульсный диод 150 мА,100В	NATIONAL SEMICONDUCTOR
1N4148	Импульсный диод 150 мА,100В	RENESAS
1N4148	Импульсный диод 150 мА,100В	ROHM
1N4148	Импульсный диод 150 мА,100В	VISHAY
1N4148	Импульсный диод 150 мА,100В	DC COMPONENTS	847	3.06
1N4148	Импульсный диод 150 мА,100В	ЦВТР
1N4148	Импульсный диод 150 мА,100В	DIOTEC	174 890	1.67
1N4148	Импульсный диод 150 мА,100В	ST MICROELECTRONICS	42 823	1.44 >100 шт. 0.72
1N4148	Импульсный диод 150 мА,100В	MIC	22 900	1.16
1N4148	Импульсный диод 150 мА,100В	DI
1N4148	Импульсный диод 150 мА,100В	БРЕСТ
1N4148	Импульсный диод 150 мА,100В	FAIRCHILD	7 906	2.00 >100 шт. 1.00
1N4148	Импульсный диод 150 мА,100В	GALAXY
1N4148	Импульсный диод 150 мА,100В	FAIRCHILD	2 439
1N4148	Импульсный диод 150 мА,100В	GULF SEMICONDUCTOR
1N4148	Импульсный диод 150 мА,100В	LITE ON OPTOELECTRONICS
1N4148	Импульсный диод 150 мА,100В	NATIONAL SEMICONDUCTOR
1N4148	Импульсный диод 150 мА,100В	NXP
1N4148	Импульсный диод 150 мА,100В	OTHER	256
1N4148	Импульсный диод 150 мА,100В	PHILIPS
1N4148	Импульсный диод 150 мА,100В	RENESAS
1N4148	Импульсный диод 150 мА,100В	ROHM
1N4148	Импульсный диод 150 мА,100В	VISHAY
1N4148	Импульсный диод 150 мА,100В	DIOTEC SEMICONDUCTOR
1N4148	Импульсный диод 150 мА,100В	Fairchild Semiconductor
1N4148	Импульсный диод 150 мА,100В	Micro Commercial Co
1N4148	Импульсный диод 150 мА,100В	ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
1N4148	Импульсный диод 150 мА,100В	YANGJIE	4 000	1.66 >100 шт. 0.83
1N4148	Импульсный диод 150 мА,100В	КИТАЙ	51 200	1.60 >100 шт. 0.80
1N4148	Импульсный диод 150 мА,100В	ТАЙВАНЬ (КИТАЙ)
1N4148	Импульсный диод 150 мА,100В	PHILIPS SEMIC
1N4148	Импульсный диод 150 мА,100В	MCC
1N4148	Импульсный диод 150 мА,100В	FSC
1N4148	Импульсный диод 150 мА,100В	FAIRCHILD SEMICONDUCTORS
1N4148	Импульсный диод 150 мА,100В		191 751	5.28
1N4148	Импульсный диод 150 мА,100В	KINGTRONICS
1N4148	Импульсный диод 150 мА,100В	NEXPERIA
1N4148	Импульсный диод 150 мА,100В	SEMTECH	108 445	1.60 >100 шт. 0.80
1N4148	Импульсный диод 150 мА,100В	ONS
1N4148	Импульсный диод 150 мА,100В	ROHS
1N4148	Импульсный диод 150 мА,100В	YJ	291 064	1.06
1N4148	Импульсный диод 150 мА,100В	KATO	800
1N4148	Импульсный диод 150 мА,100В	SEHTECH
1N4148	Импульсный диод 150 мА,100В	ONS-FAIR
1N4148	Импульсный диод 150 мА,100В	GALAXY ME
1N4148	Импульсный диод 150 мА,100В	LITE-ON SEMICONDUCTOR CORP	51 612
1N4148	Импульсный диод 150 мА,100В	ON SEMICONDUCTOR	1 332
1N4148	Импульсный диод 150 мА,100В	KLS
1N4148	Импульсный диод 150 мА,100В	SUNTAN
1N4148	Импульсный диод 150 мА,100В	HOTTECH	74 475	1.68 >100 шт. 0.84
1N4148	Импульсный диод 150 мА,100В	MIG	1 107	1.60 >100 шт. 0.80
1N4148	Импульсный диод 150 мА,100В	YANGJIE (YJ)
1N4148	Импульсный диод 150 мА,100В	ЦВЕТОТРОН (БРЕСТ)	21 425	1.60 >100 шт. 0.80
1N4148	Импульсный диод 150 мА,100В	JANGJIE
1N4148	Импульсный диод 150 мА,100В	PANJIT
1N4148	Импульсный диод 150 мА,100В	1
1N4148	Импульсный диод 150 мА,100В	LGE	57 040	1.08
1N4148	Импульсный диод 150 мА,100В	RUME	148 400	1.36 >100 шт. 0.68
74HC164D	Микросхема стандартной логики ТТЛ(74), Регистр сдвиговый 8 бит последовательный	FAIR
74HC164D	Микросхема стандартной логики ТТЛ(74), Регистр сдвиговый 8 бит последовательный	NXP
74HC164D	Микросхема стандартной логики ТТЛ(74), Регистр сдвиговый 8 бит последовательный	PHILIPS
74HC164D	Микросхема стандартной логики ТТЛ(74), Регистр сдвиговый 8 бит последовательный		436	21.12
74HC164D	Микросхема стандартной логики ТТЛ(74), Регистр сдвиговый 8 бит последовательный	NXP
74HC164D	Микросхема стандартной логики ТТЛ(74), Регистр сдвиговый 8 бит последовательный	МАРОККО
74HC164D	Микросхема стандартной логики ТТЛ(74), Регистр сдвиговый 8 бит последовательный	1
74HC164D	Микросхема стандартной логики ТТЛ(74), Регистр сдвиговый 8 бит последовательный	NEXPERIA	1 080	9.35
74HC164D	Микросхема стандартной логики ТТЛ(74), Регистр сдвиговый 8 бит последовательный	FUMAN	5 736	5.87
74HC164D	Микросхема стандартной логики ТТЛ(74), Регистр сдвиговый 8 бит последовательный	NXP/NEXPERIA	3 175	14.21
BC847B	Транзистор NPN маломощный 50V, 0.1A, 300MHz, B=200-450	NXP	800	10.20
BC847B	Транзистор NPN маломощный 50V, 0.1A, 300MHz, B=200-450	FAIR
BC847B	Транзистор NPN маломощный 50V, 0.1A, 300MHz, B=200-450	PHILIPS
BC847B	Транзистор NPN маломощный 50V, 0.1A, 300MHz, B=200-450	DC COMPONENTS	5 381	3.01
BC847B	Транзистор NPN маломощный 50V, 0.1A, 300MHz, B=200-450	ITT SEMICONDUCTOR
BC847B	Транзистор NPN маломощный 50V, 0.1A, 300MHz, B=200-450	DIOTEC	4 802	2.61
BC847B	Транзистор NPN маломощный 50V, 0.1A, 300MHz, B=200-450	MCC
BC847B	Транзистор NPN маломощный 50V, 0.1A, 300MHz, B=200-450	FAIRCHILD
BC847B	Транзистор NPN маломощный 50V, 0.1A, 300MHz, B=200-450	DI
BC847B	Транзистор NPN маломощный 50V, 0.1A, 300MHz, B=200-450	FAIRCHILD
BC847B	Транзистор NPN маломощный 50V, 0.1A, 300MHz, B=200-450	ITT SEMICONDUCTOR	2 181
BC847B	Транзистор NPN маломощный 50V, 0.1A, 300MHz, B=200-450	NXP
BC847B	Транзистор NPN маломощный 50V, 0.1A, 300MHz, B=200-450	PHILIPS
BC847B	Транзистор NPN маломощный 50V, 0.1A, 300MHz, B=200-450	GALAXY
BC847B	Транзистор NPN маломощный 50V, 0.1A, 300MHz, B=200-450	INFINEON
BC847B	Транзистор NPN маломощный 50V, 0.1A, 300MHz, B=200-450	STMicroelectronics
BC847B	Транзистор NPN маломощный 50V, 0.1A, 300MHz, B=200-450	NXP SEMIC
BC847B	Транзистор NPN маломощный 50V, 0.1A, 300MHz, B=200-450	КИТАЙ
BC847B	Транзистор NPN маломощный 50V, 0.1A, 300MHz, B=200-450	МАЛАЙЗИЯ
BC847B	Транзистор NPN маломощный 50V, 0.1A, 300MHz, B=200-450	INFINEON TECH
BC847B	Транзистор NPN маломощный 50V, 0.1A, 300MHz, B=200-450		4	2.52
BC847B	Транзистор NPN маломощный 50V, 0.1A, 300MHz, B=200-450	DIODES
BC847B	Транзистор NPN маломощный 50V, 0.1A, 300MHz, B=200-450	HOTTECH	42 536	1.50 >100 шт. 0.75
BC847B	Транзистор NPN маломощный 50V, 0.1A, 300MHz, B=200-450	DCCOMPONENTS
BC847B	Транзистор NPN маломощный 50V, 0.1A, 300MHz, B=200-450	GALAXY ME
BC847B	Транзистор NPN маломощный 50V, 0.1A, 300MHz, B=200-450	SEMTECH
BC847B	Транзистор NPN маломощный 50V, 0.1A, 300MHz, B=200-450	LRC
BC847B	Транзистор NPN маломощный 50V, 0.1A, 300MHz, B=200-450	KLS
BC847B	Транзистор NPN маломощный 50V, 0.1A, 300MHz, B=200-450	SUNTAN	222 838	1.88 >100 шт. 0.94
BC847B	Транзистор NPN маломощный 50V, 0.1A, 300MHz, B=200-450	YJ	269 787	1.40
BC847B	Транзистор NPN маломощный 50V, 0.1A, 300MHz, B=200-450	TRR
BC847B	Транзистор NPN маломощный 50V, 0.1A, 300MHz, B=200-450	1
BC847B	Транзистор NPN маломощный 50V, 0.1A, 300MHz, B=200-450	KEFAN
BC847B	Транзистор NPN маломощный 50V, 0.1A, 300MHz, B=200-450	SLKOR	145 935	1.26 >100 шт. 0.63
BC847B	Транзистор NPN маломощный 50V, 0.1A, 300MHz, B=200-450	NEXPERIA	80 000	1.77
LM7001	FM синтезатоp частоты, (PLL)	NATIONAL SEMICONDUCTOR
LM7001	FM синтезатоp частоты, (PLL)	SANYO
LM7001	FM синтезатоp частоты, (PLL)		59	207.68
LM7001	FM синтезатоp частоты, (PLL)	ФИЛИППИНЫ
MC3362P	Супергетеродинный приемник с двойным преобразованием частоты. fmax=180МГц, ...	ON SEMICONDUCTOR
MC3362P	Супергетеродинный приемник с двойным преобразованием частоты. fmax=180МГц, ...	MOTOROLA
MC3362P	Супергетеродинный приемник с двойным преобразованием частоты. fmax=180МГц, ...	FRS/MOT
MC3362P	Супергетеродинный приемник с двойным преобразованием частоты. fmax=180МГц, ...	FRS
MC3362P	Супергетеродинный приемник с двойным преобразованием частоты. fmax=180МГц, ...			147.56
MC3362P	Супергетеродинный приемник с двойным преобразованием частоты. fmax=180МГц, ...	MOT
MC3362P	Супергетеродинный приемник с двойным преобразованием частоты. fmax=180МГц, ...	ТАЙВАНЬ (КИТАЙ)
MC3362P	Супергетеродинный приемник с двойным преобразованием частоты. fmax=180МГц, ...	ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)

BC857B

Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, B=220-475@I=2mA, f>100MHz)

КАТАЛОГ

ИМПОРТНЫЕ ЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ

Полупроводники

Транзисторы

Транзисторы (биполярные) - одиночные

С этим товаром покупают: