Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
Voltage - Zener (Nom) (Vz) | 24V |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 900mV @ 10mA |
Current - Reverse Leakage @ Vr | 50nA @ 16.8V |
Допустимые отклонения емкости | ±5% |
Power - Max | 350mW |
Impedance (Max) (Zzt) | 70 Ohm |
Тип монтажа | Поверхностный |
Корпус (размер) | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Корпус | SOT-23-3 (TO-236) |
Рабочая температура | -55°C ~ 150°C |
Product Change Notification | Mold Compound Change 12/Dec/2007 |
Tolerance | ±5% |
|
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
BAV199 |
|
2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)
|
NXP
|
|
|
|
|
|
BAV199 |
|
2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)
|
|
92 304
|
1.06
|
|
|
|
BAV199 |
|
2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
BAV199 |
|
2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)
|
GALAXY
|
2 885
|
2.94
|
|
|
|
BAV199 |
|
2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)
|
ONS
|
|
|
|
|
|
BAV199 |
|
2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)
|
NXP
|
3 888
|
|
|
|
|
BAV199 |
|
2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)
|
Diodes Inc
|
|
|
|
|
|
BAV199 |
|
2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
BAV199 |
|
2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)
|
DI
|
|
|
|
|
|
BAV199 |
|
2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)
|
DC COMPONENTS
|
|
|
|
|
|
BAV199 |
|
2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)
|
INFINEON
|
|
|
|
|
|
BAV199 |
|
2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)
|
DIODES
|
|
|
|
|
|
BAV199 |
|
2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)
|
DIOTEC
|
21 183
|
2.47
|
|
|
|
BAV199 |
|
2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)
|
SHENZHEN LUGUANG ELECTRONIC TECHNOLOGY CO.,LTD
|
|
|
|
|
|
BAV199 |
|
2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)
|
ONSEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
BAV199 |
|
2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)
|
GALAXY ME
|
|
|
|
|
|
BAV199 |
|
2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)
|
INFINEON
|
102
|
|
|
|
|
BAV199 |
|
2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)
|
LRC
|
|
|
|
|
|
BAV199 |
|
2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)
|
HOTTECH
|
166 723
|
1.47
|
|
|
|
BAV199 |
|
2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)
|
PANJIT
|
|
|
|
|
|
BAV199 |
|
2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)
|
SEMTECH
|
11
|
3.01
|
|
|
|
BAV199 |
|
2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)
|
WUXI XUYANG
|
52
|
2.66
|
|
|
|
BAV199 |
|
2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)
|
SEMICRON
|
|
|
|
|
|
BAV199 |
|
2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)
|
KOME
|
|
|
|
|
|
BAV199 |
|
2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)
|
NXP/NEXPERIA
|
|
|
|
|
|
BAV199 |
|
2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)
|
YANGJIE (YJ)
|
|
|
|
|
|
BAV199 |
|
2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)
|
JSCJ
|
148 468
|
1.57
|
|
|
|
BAV199 |
|
2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)
|
YJ
|
1 940
|
2.07
|
|
|
|
BCP53-16 |
|
Транзистор биполярный SMD PNP, 80V, 1A 1,3W, B:100-250
|
|
32 174
|
3.50
|
|
|
|
BCP53-16 |
|
Транзистор биполярный SMD PNP, 80V, 1A 1,3W, B:100-250
|
NXP
|
|
|
|
|
|
BCP53-16 |
|
Транзистор биполярный SMD PNP, 80V, 1A 1,3W, B:100-250
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
BCP53-16 |
|
Транзистор биполярный SMD PNP, 80V, 1A 1,3W, B:100-250
|
NXP
|
|
|
|
|
|
BCP53-16 |
|
Транзистор биполярный SMD PNP, 80V, 1A 1,3W, B:100-250
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
BCP53-16 |
|
Транзистор биполярный SMD PNP, 80V, 1A 1,3W, B:100-250
|
ONS
|
|
|
|
|
|
BCP53-16 |
|
Транзистор биполярный SMD PNP, 80V, 1A 1,3W, B:100-250
|
МАЛАЙЗИЯ
|
|
|
|
|
|
BCP53-16 |
|
Транзистор биполярный SMD PNP, 80V, 1A 1,3W, B:100-250
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
BCP53-16 |
|
Транзистор биполярный SMD PNP, 80V, 1A 1,3W, B:100-250
|
INFINEON TECH
|
|
|
|
|
|
BCP53-16 |
|
Транзистор биполярный SMD PNP, 80V, 1A 1,3W, B:100-250
|
ST MICROELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
BCP53-16 |
|
Транзистор биполярный SMD PNP, 80V, 1A 1,3W, B:100-250
|
INFINEON
|
|
|
|
|
|
BCP53-16 |
|
Транзистор биполярный SMD PNP, 80V, 1A 1,3W, B:100-250
|
NEXPERIA
|
|
|
|
|
|
BCP53-16 |
|
Транзистор биполярный SMD PNP, 80V, 1A 1,3W, B:100-250
|
ST1
|
|
|
|
|
|
BCP53-16 |
|
Транзистор биполярный SMD PNP, 80V, 1A 1,3W, B:100-250
|
STMICROELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
BCP53-16 |
|
Транзистор биполярный SMD PNP, 80V, 1A 1,3W, B:100-250
|
HOTTECH
|
137 668
|
6.24
|
|
|
|
BCP53-16 |
|
Транзистор биполярный SMD PNP, 80V, 1A 1,3W, B:100-250
|
LGE
|
|
|
|
|
|
BCP53-16 |
|
Транзистор биполярный SMD PNP, 80V, 1A 1,3W, B:100-250
|
OLITECH
|
|
|
|
|
|
BCP53-16 |
|
Транзистор биполярный SMD PNP, 80V, 1A 1,3W, B:100-250
|
KLS
|
|
|
|
|
|
BCP53-16 |
|
Транзистор биполярный SMD PNP, 80V, 1A 1,3W, B:100-250
|
SUNTAN
|
|
|
|
|
|
BCP53-16 |
|
Транзистор биполярный SMD PNP, 80V, 1A 1,3W, B:100-250
|
TRR
|
29 600
|
4.15
|
|
|
|
BCP53-16 |
|
Транзистор биполярный SMD PNP, 80V, 1A 1,3W, B:100-250
|
JSCJ
|
38 803
|
5.55
|
|
|
|
BCP53-16T1G |
|
SOT223
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
BCP53-16T1G |
|
SOT223
|
|
2 036
|
12.05
|
|
|
|
BCP53-16T1G |
|
SOT223
|
ONS
|
3 838
|
19.31
|
|
|
|
BCP53-16T1G |
|
SOT223
|
ON SEMICONDUCTOR
|
140
|
|
|
|
|
BCP53-16T1G |
|
SOT223
|
ON SEMIC
|
|
|
|
|
|
BCP53-16T1G |
|
SOT223
|
ONSEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
BCP53-16T1G |
|
SOT223
|
ONS-FAIR
|
|
|
|
|
|
BCP53-16T1G |
|
SOT223
|
HOTTECH
|
|
|
|
|
|
BZX84C5V1 |
|
Стабилитрон универсальный SMD 0.225 Вт, 5.1 V
|
FAI/QTC
|
|
|
|
|
|
BZX84C5V1 |
|
Стабилитрон универсальный SMD 0.225 Вт, 5.1 V
|
NXP
|
|
|
|
|
|
BZX84C5V1 |
|
Стабилитрон универсальный SMD 0.225 Вт, 5.1 V
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
BZX84C5V1 |
|
Стабилитрон универсальный SMD 0.225 Вт, 5.1 V
|
ITT
|
|
|
|
|
|
BZX84C5V1 |
|
Стабилитрон универсальный SMD 0.225 Вт, 5.1 V
|
LITE ON OPTOELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
BZX84C5V1 |
|
Стабилитрон универсальный SMD 0.225 Вт, 5.1 V
|
NATIONAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
BZX84C5V1 |
|
Стабилитрон универсальный SMD 0.225 Вт, 5.1 V
|
DIODES
|
|
|
|
|
|
BZX84C5V1 |
|
Стабилитрон универсальный SMD 0.225 Вт, 5.1 V
|
DC COMPONENTS
|
36 608
|
2.95
|
|
|
|
BZX84C5V1 |
|
Стабилитрон универсальный SMD 0.225 Вт, 5.1 V
|
VISHAY
|
|
|
|
|
|
BZX84C5V1 |
|
Стабилитрон универсальный SMD 0.225 Вт, 5.1 V
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
BZX84C5V1 |
|
Стабилитрон универсальный SMD 0.225 Вт, 5.1 V
|
GALAXY
|
|
|
|
|
|
BZX84C5V1 |
|
Стабилитрон универсальный SMD 0.225 Вт, 5.1 V
|
DIODES INC.
|
31
|
|
|
|
|
BZX84C5V1 |
|
Стабилитрон универсальный SMD 0.225 Вт, 5.1 V
|
FAIRCHILD
|
9 647
|
|
|
|
|
BZX84C5V1 |
|
Стабилитрон универсальный SMD 0.225 Вт, 5.1 V
|
ITT
|
|
|
|
|
|
BZX84C5V1 |
|
Стабилитрон универсальный SMD 0.225 Вт, 5.1 V
|
NATIONAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
BZX84C5V1 |
|
Стабилитрон универсальный SMD 0.225 Вт, 5.1 V
|
OTHER
|
|
|
|
|
|
BZX84C5V1 |
|
Стабилитрон универсальный SMD 0.225 Вт, 5.1 V
|
Fairchild Semiconductor
|
|
|
|
|
|
BZX84C5V1 |
|
Стабилитрон универсальный SMD 0.225 Вт, 5.1 V
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
BZX84C5V1 |
|
Стабилитрон универсальный SMD 0.225 Вт, 5.1 V
|
PHILIPS
|
594
|
2.10
|
|
|
|
BZX84C5V1 |
|
Стабилитрон универсальный SMD 0.225 Вт, 5.1 V
|
ITT INTERCONNECT SOLUTIONS
|
|
|
|
|
|
BZX84C5V1 |
|
Стабилитрон универсальный SMD 0.225 Вт, 5.1 V
|
MCC
|
|
|
|
|
|
BZX84C5V1 |
|
Стабилитрон универсальный SMD 0.225 Вт, 5.1 V
|
DIOTEC
|
18 024
|
2.84
|
|
|
|
BZX84C5V1 |
|
Стабилитрон универсальный SMD 0.225 Вт, 5.1 V
|
|
53 935
|
1.15
|
|
|
|
BZX84C5V1 |
|
Стабилитрон универсальный SMD 0.225 Вт, 5.1 V
|
GALAXY ME
|
|
|
|
|
|
BZX84C5V1 |
|
Стабилитрон универсальный SMD 0.225 Вт, 5.1 V
|
HOTTECH
|
55 893
|
1.67
|
|
|
|
BZX84C5V1 |
|
Стабилитрон универсальный SMD 0.225 Вт, 5.1 V
|
KLS
|
|
|
|
|
|
BZX84C5V1 |
|
Стабилитрон универсальный SMD 0.225 Вт, 5.1 V
|
PANJIT
|
1
|
3.15
|
|
|
|
BZX84C5V1 |
|
Стабилитрон универсальный SMD 0.225 Вт, 5.1 V
|
NXP/NEXPERIA
|
|
|
|
|
|
BZX84C5V1 |
|
Стабилитрон универсальный SMD 0.225 Вт, 5.1 V
|
YJ
|
136 146
|
1.42
|
|
|
|
BZX84C5V1 |
|
Стабилитрон универсальный SMD 0.225 Вт, 5.1 V
|
1
|
|
|
|
|
|
BZX84C5V1 |
|
Стабилитрон универсальный SMD 0.225 Вт, 5.1 V
|
SUNTAN
|
16 387
|
1.81
|
|
|
|
MBRS1100T3G |
|
SMD диод Шоттки 100V 1A
|
ON SEMICONDUCTOR
|
2
|
21.00
|
|
|
|
MBRS1100T3G |
|
SMD диод Шоттки 100V 1A
|
VISHAY
|
|
|
|
|
|
MBRS1100T3G |
|
SMD диод Шоттки 100V 1A
|
|
|
48.64
|
|
|
|
MBRS1100T3G |
|
SMD диод Шоттки 100V 1A
|
ONS
|
956
|
22.00
|
|
|
|
MBRS1100T3G |
|
SMD диод Шоттки 100V 1A
|
ON SEMICONDUCTOR
|
32
|
|
|
|
|
MBRS1100T3G |
|
SMD диод Шоттки 100V 1A
|
ON SEMICONDUCTO
|
|
|
|
|
|
MBRS1100T3G |
|
SMD диод Шоттки 100V 1A
|
ONSEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
MBRS1100T3G |
|
SMD диод Шоттки 100V 1A
|
ONSEMI
|
|
|
|
|
|
MBRS1100T3G |
|
SMD диод Шоттки 100V 1A
|
FUXIN
|
4 986
|
6.18
|
|