Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
Voltage - Zener (Nom) (Vz) | 8.2V |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 900mV @ 10mA |
Current - Reverse Leakage @ Vr | 700nA @ 5V |
Допустимые отклонения емкости | ±5% |
Power - Max | 350mW |
Impedance (Max) (Zzt) | 15 Ohm |
Тип монтажа | Поверхностный |
Корпус (размер) | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Корпус | SOT-23-3 (TO-236) |
Рабочая температура | -55°C ~ 150°C |
Product Change Notification | Mold Compound Change 12/Dec/2007 |
Tolerance | ±5% |
|
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
3296P-1-153 |
|
Подстроечный резистор 15K
|
BARONS
|
|
|
|
|
|
3296P-1-153 |
|
Подстроечный резистор 15K
|
|
|
39.20
|
|
|
|
3296P-1-153 |
|
Подстроечный резистор 15K
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
BAW56 |
|
2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
NXP
|
19 873
|
2.00
|
|
|
|
BAW56 |
|
2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
INFINEON
|
|
|
|
|
|
BAW56 |
|
2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
BAW56 |
|
2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
GENERAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
BAW56 |
|
2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
NATIONAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
BAW56 |
|
2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
PANJIT
|
646
|
1.54
|
|
|
|
BAW56 |
|
2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
BAW56 |
|
2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
BAW56 |
|
2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
DC COMPONENTS
|
9 942
|
1.84
|
|
|
|
BAW56 |
|
2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
DIOTEC
|
1 600
|
1.26
|
|
|
|
BAW56 |
|
2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
MCC
|
|
|
|
|
|
BAW56 |
|
2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
BAW56 |
|
2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
GALAXY
|
24
|
10.82
|
|
|
|
BAW56 |
|
2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
FAIRCHILD
|
104
|
|
|
|
|
BAW56 |
|
2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
NATIONAL SEMICONDUCTOR
|
1 920
|
|
|
|
|
BAW56 |
|
2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
NXP
|
2 593
|
|
|
|
|
BAW56 |
|
2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
PANJIT
|
|
|
|
|
|
BAW56 |
|
2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
PHILIPS
|
21
|
|
|
|
|
BAW56 |
|
2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
Fairchild Semiconductor
|
|
|
|
|
|
BAW56 |
|
2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
BAW56 |
|
2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
INFINEON TECH
|
|
|
|
|
|
BAW56 |
|
2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
VISHAY
|
|
|
|
|
|
BAW56 |
|
2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
|
38 168
|
1.46
>100 шт. 0.73
|
|
|
|
BAW56 |
|
2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
FSC
|
|
|
|
|
|
BAW56 |
|
2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
ONS
|
|
|
|
|
|
BAW56 |
|
2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
ONS-FAIR
|
|
|
|
|
|
BAW56 |
|
2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
NEXPERIA
|
|
|
|
|
|
BAW56 |
|
2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
GALAXY ME
|
|
|
|
|
|
BAW56 |
|
2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
LRC
|
|
|
|
|
|
BAW56 |
|
2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
HOTTECH
|
6 599
|
1.80
>100 шт. 0.90
|
|
|
|
BAW56 |
|
2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
KLS
|
|
|
|
|
|
BAW56 |
|
2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
SEMTECH
|
|
|
|
|
|
BAW56 |
|
2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
YANGJIE
|
38 400
|
1.20
|
|
|
|
BAW56 |
|
2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
YJ
|
286 511
|
1.21
|
|
|
|
BAW56 |
|
2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
YANGJIE (YJ)
|
|
|
|
|
|
BAW56 |
|
2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
JSCJ
|
171 751
|
1.22
|
|
|
|
BAW56 |
|
2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
1
|
|
|
|
|
|
BAW56 |
|
2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
SUNTAN
|
54 505
|
1.28
|
|
|
|
BZV55-C5V1 |
|
Стабилитрон 0.5Вт, 5.1В, 2мА, 350О м
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
BZV55-C5V1 |
|
Стабилитрон 0.5Вт, 5.1В, 2мА, 350О м
|
NXP
|
|
|
|
|
|
BZV55-C5V1 |
|
Стабилитрон 0.5Вт, 5.1В, 2мА, 350О м
|
DC COMPONENTS
|
62 700
|
1.93
|
|
|
|
BZV55-C5V1 |
|
Стабилитрон 0.5Вт, 5.1В, 2мА, 350О м
|
NXP
|
|
|
|
|
|
BZV55-C5V1 |
|
Стабилитрон 0.5Вт, 5.1В, 2мА, 350О м
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
BZV55-C5V1 |
|
Стабилитрон 0.5Вт, 5.1В, 2мА, 350О м
|
KINGTRON
|
|
|
|
|
|
BZV55-C5V1 |
|
Стабилитрон 0.5Вт, 5.1В, 2мА, 350О м
|
|
384
|
1.94
|
|
|
|
BZV55-C5V1 |
|
Стабилитрон 0.5Вт, 5.1В, 2мА, 350О м
|
HOTTECH
|
|
|
|
|
|
P6KE12A |
|
Супрессор PV=600W, Vbr=12V, Ir-5mkA, Ifsm=100A UNIdirectional
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
P6KE12A |
|
Супрессор PV=600W, Vbr=12V, Ir-5mkA, Ifsm=100A UNIdirectional
|
CHIN
|
|
|
|
|
|
P6KE12A |
|
Супрессор PV=600W, Vbr=12V, Ir-5mkA, Ifsm=100A UNIdirectional
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
P6KE12A |
|
Супрессор PV=600W, Vbr=12V, Ir-5mkA, Ifsm=100A UNIdirectional
|
DC COMPONENTS
|
681
|
8.37
|
|
|
|
P6KE12A |
|
Супрессор PV=600W, Vbr=12V, Ir-5mkA, Ifsm=100A UNIdirectional
|
|
4 469
|
3.82
|
|
|
|
P6KE12A |
|
Супрессор PV=600W, Vbr=12V, Ir-5mkA, Ifsm=100A UNIdirectional
|
SEMICRON
|
1
|
9.84
|
|
|
|
P6KE12A |
|
Супрессор PV=600W, Vbr=12V, Ir-5mkA, Ifsm=100A UNIdirectional
|
ST MICROELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
P6KE12A |
|
Супрессор PV=600W, Vbr=12V, Ir-5mkA, Ifsm=100A UNIdirectional
|
SMK
|
|
|
|
|
|
P6KE12A |
|
Супрессор PV=600W, Vbr=12V, Ir-5mkA, Ifsm=100A UNIdirectional
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
P6KE12A |
|
Супрессор PV=600W, Vbr=12V, Ir-5mkA, Ifsm=100A UNIdirectional
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
P6KE12A |
|
Супрессор PV=600W, Vbr=12V, Ir-5mkA, Ifsm=100A UNIdirectional
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
P6KE12A |
|
Супрессор PV=600W, Vbr=12V, Ir-5mkA, Ifsm=100A UNIdirectional
|
Littelfuse Inc
|
|
|
|
|
|
P6KE12A |
|
Супрессор PV=600W, Vbr=12V, Ir-5mkA, Ifsm=100A UNIdirectional
|
Fairchild Semiconductor
|
|
|
|
|
|
P6KE12A |
|
Супрессор PV=600W, Vbr=12V, Ir-5mkA, Ifsm=100A UNIdirectional
|
ST1
|
|
|
|
|
|
P6KE12A |
|
Супрессор PV=600W, Vbr=12V, Ir-5mkA, Ifsm=100A UNIdirectional
|
GALAXY
|
|
|
|
|
|
P6KE12A |
|
Супрессор PV=600W, Vbr=12V, Ir-5mkA, Ifsm=100A UNIdirectional
|
LTL
|
49
|
8.57
|
|
|
|
P6KE12A |
|
Супрессор PV=600W, Vbr=12V, Ir-5mkA, Ifsm=100A UNIdirectional
|
КИТАЙ
|
80
|
20.40
|
|
|
|
P6KE12A |
|
Супрессор PV=600W, Vbr=12V, Ir-5mkA, Ifsm=100A UNIdirectional
|
LITTELFUSE
|
|
|
|
|
|
P6KE12A |
|
Супрессор PV=600W, Vbr=12V, Ir-5mkA, Ifsm=100A UNIdirectional
|
GALAXY ME
|
|
|
|
|
|
P6KE12A |
|
Супрессор PV=600W, Vbr=12V, Ir-5mkA, Ifsm=100A UNIdirectional
|
BRIGHTKING
|
474
|
6.67
|
|
|
|
P6KE12A |
|
Супрессор PV=600W, Vbr=12V, Ir-5mkA, Ifsm=100A UNIdirectional
|
JJM
|
1 088
|
6.77
|
|
|
|
P6KE12A |
|
Супрессор PV=600W, Vbr=12V, Ir-5mkA, Ifsm=100A UNIdirectional
|
KLS
|
|
|
|
|
|
P6KE12A |
|
Супрессор PV=600W, Vbr=12V, Ir-5mkA, Ifsm=100A UNIdirectional
|
YJ
|
3 784
|
4.37
|
|
|
|
P6KE12A |
|
Супрессор PV=600W, Vbr=12V, Ir-5mkA, Ifsm=100A UNIdirectional
|
|
|
|
|
|
|
ULQ2003A |
|
|
ST MICROELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
ULQ2003A |
|
|
|
|
42.00
|
|
|
|
ULQ2003A |
|
|
STMicroelectronics
|
|
|
|
|
|
ULQ2003A |
|
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
ULQ2003A |
|
|
ST MICROELECTRO
|
|
|
|