|
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
BC847C |
|
Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
BC847C |
|
Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
BC847C |
|
Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц
|
NXP
|
200
|
1.68
|
|
|
|
BC847C |
|
Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц
|
DC COMPONENTS
|
27 094
|
2.35
|
|
|
|
BC847C |
|
Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
BC847C |
|
Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц
|
MCC
|
|
|
|
|
|
BC847C |
|
Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц
|
DIOTEC
|
24 764
|
2.98
|
|
|
|
BC847C |
|
Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц
|
INFINEON
|
|
|
|
|
|
BC847C |
|
Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
BC847C |
|
Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц
|
GALAXY
|
|
|
|
|
|
BC847C |
|
Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц
|
ONS
|
|
|
|
|
|
BC847C |
|
Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
BC847C |
|
Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц
|
INFINEON
|
240
|
|
|
|
|
BC847C |
|
Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц
|
NXP
|
1 212
|
|
|
|
|
BC847C |
|
Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц
|
PHILIPS
|
976
|
|
|
|
|
BC847C |
|
Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
BC847C |
|
Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц
|
МАЛАЙЗИЯ
|
|
|
|
|
|
BC847C |
|
Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц
|
INFINEON TECH
|
|
|
|
|
|
BC847C |
|
Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц
|
DI
|
|
|
|
|
|
BC847C |
|
Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц
|
KINGTRON
|
|
|
|
|
|
BC847C |
|
Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц
|
|
100 495
|
1.52
>100 шт. 0.76
|
|
|
|
BC847C |
|
Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц
|
KEC
|
|
|
|
|
|
BC847C |
|
Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц
|
DIODES
|
|
|
|
|
|
BC847C |
|
Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц
|
PANJIT
|
|
|
|
|
|
BC847C |
|
Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц
|
GALAXY ME
|
135
|
1.23
|
|
|
|
BC847C |
|
Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц
|
HOTTECH
|
1 189 178
|
1.34
>100 шт. 0.67
|
|
|
|
BC847C |
|
Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц
|
LRC
|
|
|
|
|
|
BC847C |
|
Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц
|
PH / NXP
|
|
|
|
|
|
BC847C |
|
Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц
|
KLS
|
|
|
|
|
|
BC847C |
|
Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц
|
YANGJIE (YJ)
|
|
|
|
|
|
BC847C |
|
Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц
|
NEX-NXP
|
88 000
|
3.10
|
|
|
|
BC847C |
|
Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц
|
SEMTECH
|
3 026
|
1.23
|
|
|
|
BC847C |
|
Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц
|
YJ
|
1 011 444
|
1.16
|
|
|
|
BC847C |
|
Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц
|
PH/NXP
|
|
|
|
|
|
BC847C |
|
Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц
|
CTK
|
2 551
|
1.68
|
|
|
|
BC847C |
|
Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц
|
RUME
|
|
|
|
|
|
BC847C |
|
Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц
|
OLITECH ELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
BC847C |
|
Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц
|
SUNTAN
|
245 836
|
1.46
>100 шт. 0.73
|
|
|
|
BC847C |
|
Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц
|
1
|
|
|
|
|
|
BC847C |
|
Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц
|
NEXPERIA
|
531 091
|
1.26
|
|
|
|
BC847C |
|
Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц
|
YANGZHOU YANGJIE ELECTRONIC TECHNOLOGY CO
|
16
|
1.09
|
|
|
|
CC0805KRX7R9BB103 |
|
Керамический ЧИП конденсатор 0.01 мкФ, X7R, 10%, 0805
|
YAGEO
|
2 298 967
|
1.14
>500 шт. 0.38
|
|
|
|
CC0805KRX7R9BB103 |
|
Керамический ЧИП конденсатор 0.01 мкФ, X7R, 10%, 0805
|
PHYCOMP
|
|
|
|
|
|
CC0805KRX7R9BB103 |
|
Керамический ЧИП конденсатор 0.01 мкФ, X7R, 10%, 0805
|
PHYCOMP
|
|
|
|
|
|
CC0805KRX7R9BB103 |
|
Керамический ЧИП конденсатор 0.01 мкФ, X7R, 10%, 0805
|
YAGEO
|
|
|
|
|
|
CC0805KRX7R9BB103 |
|
Керамический ЧИП конденсатор 0.01 мкФ, X7R, 10%, 0805
|
ТАЙВАНЬ (КИТАЙ)
|
|
|
|
|
|
CC0805KRX7R9BB103 |
|
Керамический ЧИП конденсатор 0.01 мкФ, X7R, 10%, 0805
|
ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
|
|
|
|
|
|
CC0805KRX7R9BB103 |
|
Керамический ЧИП конденсатор 0.01 мкФ, X7R, 10%, 0805
|
|
|
3.28
|
|
|
|
CC0805KRX7R9BB104 |
|
Керамический неполярный ЧИП конденсатор 0.1мкф,Х7R,10%, 0805, 50В
|
YAGEO
|
2 626 237
|
1.74
>100 шт. 0.87
|
|
|
|
CC0805KRX7R9BB104 |
|
Керамический неполярный ЧИП конденсатор 0.1мкф,Х7R,10%, 0805, 50В
|
|
|
1.92
>100 шт. 0.96
|
|
|
|
CC0805KRX7R9BB104 |
|
Керамический неполярный ЧИП конденсатор 0.1мкф,Х7R,10%, 0805, 50В
|
ТАЙВАНЬ (КИТАЙ)
|
|
|
|
|
|
CC0805KRX7R9BB104 |
|
Керамический неполярный ЧИП конденсатор 0.1мкф,Х7R,10%, 0805, 50В
|
ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
|
|
|
|
|
|
CC0805KRX7R9BB104 |
|
Керамический неполярный ЧИП конденсатор 0.1мкф,Х7R,10%, 0805, 50В
|
PHYCOMP
|
|
|
|
|
|
CC0805KRX7R9BB104 |
|
Керамический неполярный ЧИП конденсатор 0.1мкф,Х7R,10%, 0805, 50В
|
YAGEO
|
20 644
|
|
|
|
|
LM810M3-2.63 |
|
Схема сброса (неинв. выход ``push-pull``, Vth=2.63V +/-3%, t=240ms (typ))
|
NATIONAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
LM810M3-2.63 |
|
Схема сброса (неинв. выход ``push-pull``, Vth=2.63V +/-3%, t=240ms (typ))
|
NSC
|
|
|
|
|
|
LM810M3-2.63 |
|
Схема сброса (неинв. выход ``push-pull``, Vth=2.63V +/-3%, t=240ms (typ))
|
|
|
39.48
|
|
|
|
LM810M3-2.63 |
|
Схема сброса (неинв. выход ``push-pull``, Vth=2.63V +/-3%, t=240ms (typ))
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
TEL 5-2411 |
|
DC/DC, 6Вт, вход 18:36В, выход 5В/1000мА, изоляция 1500В DC, корпус DIP24 32x20.3x10.2 ...
|
TRACO
|
196
|
2 435.58
|
|
|
|
TEL 5-2411 |
|
DC/DC, 6Вт, вход 18:36В, выход 5В/1000мА, изоляция 1500В DC, корпус DIP24 32x20.3x10.2 ...
|
|
|
|
|