|
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
SN74HC00DR |
|
Микросхема стандартной логики ТТЛ(74), 4 ЛЭ 2И-НЕ
|
TEXAS INSTRUMENTS
|
2 248
|
26.57
|
|
|
|
SN74HC00DR |
|
Микросхема стандартной логики ТТЛ(74), 4 ЛЭ 2И-НЕ
|
|
758
|
36.00
|
|
|
|
SN74HC00DR |
|
Микросхема стандартной логики ТТЛ(74), 4 ЛЭ 2И-НЕ
|
TEXAS INSTRUMENTS
|
|
|
|
|
|
SN74HC00DR |
|
Микросхема стандартной логики ТТЛ(74), 4 ЛЭ 2И-НЕ
|
TEXAS
|
|
|
|
|
|
NE5532D |
|
Сдвоенный малошумящий ОУ, GBW=10Mhz, 0.+70°C
|
NEC
|
|
|
|
|
|
NE5532D |
|
Сдвоенный малошумящий ОУ, GBW=10Mhz, 0.+70°C
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
NE5532D |
|
Сдвоенный малошумящий ОУ, GBW=10Mhz, 0.+70°C
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
NE5532D |
|
Сдвоенный малошумящий ОУ, GBW=10Mhz, 0.+70°C
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
NE5532D |
|
Сдвоенный малошумящий ОУ, GBW=10Mhz, 0.+70°C
|
SIGNETICS
|
|
|
|
|
|
NE5532D |
|
Сдвоенный малошумящий ОУ, GBW=10Mhz, 0.+70°C
|
TEXAS INSTRUMENTS
|
|
|
|
|
|
NE5532D |
|
Сдвоенный малошумящий ОУ, GBW=10Mhz, 0.+70°C
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
NE5532D |
|
Сдвоенный малошумящий ОУ, GBW=10Mhz, 0.+70°C
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
NE5532D |
|
Сдвоенный малошумящий ОУ, GBW=10Mhz, 0.+70°C
|
TEXAS
|
|
|
|
|
|
NE5532D |
|
Сдвоенный малошумящий ОУ, GBW=10Mhz, 0.+70°C
|
TEXAS INSTRUMEN
|
|
|
|
|
|
NE5532D |
|
Сдвоенный малошумящий ОУ, GBW=10Mhz, 0.+70°C
|
|
|
39.52
|
|
|
|
SN74HC14D |
|
Стандартная логика HEX INVERTING SCHMITT-TRIGGER -40/+85 C
|
TEXAS INSTRUMENTS
|
|
|
|
|
|
SN74HC14D |
|
Стандартная логика HEX INVERTING SCHMITT-TRIGGER -40/+85 C
|
|
8
|
54.00
|
|
|
|
SN74HC14D |
|
Стандартная логика HEX INVERTING SCHMITT-TRIGGER -40/+85 C
|
TEXAS INSTRUMENTS
|
|
|
|
|
|
SN74HC14D |
|
Стандартная логика HEX INVERTING SCHMITT-TRIGGER -40/+85 C
|
TEXAS
|
|
|
|
|
|
SN74HC14D |
|
Стандартная логика HEX INVERTING SCHMITT-TRIGGER -40/+85 C
|
|
8
|
54.00
|
|
|
|
SN74HC14D |
|
Стандартная логика HEX INVERTING SCHMITT-TRIGGER -40/+85 C
|
TEXAS INSTRUMEN
|
|
|
|
|
|
TL082CD |
|
Двухканальный операционный усилитель с малым температурным дрейфом JFET-input
|
ST MICROELECTRONICS
|
266
|
45.90
|
|
|
|
TL082CD |
|
Двухканальный операционный усилитель с малым температурным дрейфом JFET-input
|
TEXAS INSTRUMENTS
|
|
|
|
|
|
TL082CD |
|
Двухканальный операционный усилитель с малым температурным дрейфом JFET-input
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
TL082CD |
|
Двухканальный операционный усилитель с малым температурным дрейфом JFET-input
|
SGS
|
|
|
|
|
|
TL082CD |
|
Двухканальный операционный усилитель с малым температурным дрейфом JFET-input
|
UTC
|
|
|
|
|
|
TL082CD |
|
Двухканальный операционный усилитель с малым температурным дрейфом JFET-input
|
|
13
|
43.20
|
|
|
|
TL082CD |
|
Двухканальный операционный усилитель с малым температурным дрейфом JFET-input
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
TL082CD |
|
Двухканальный операционный усилитель с малым температурным дрейфом JFET-input
|
SGS THOMSON
|
|
|
|
|
|
TL082CD |
|
Двухканальный операционный усилитель с малым температурным дрейфом JFET-input
|
ST MICROELECTRONICS SEMI
|
|
|
|
|
|
TL082CD |
|
Двухканальный операционный усилитель с малым температурным дрейфом JFET-input
|
TEXAS INSTRUMENTS
|
|
|
|
|
|
TL082CD |
|
Двухканальный операционный усилитель с малым температурным дрейфом JFET-input
|
STMicroelectronics
|
|
|
|
|
|
TL082CD |
|
Двухканальный операционный усилитель с малым температурным дрейфом JFET-input
|
МАЛАЙЗИЯ
|
|
|
|
|
|
TL082CD |
|
Двухканальный операционный усилитель с малым температурным дрейфом JFET-input
|
TEXAS
|
|
|
|
|
|
TL082CD |
|
Двухканальный операционный усилитель с малым температурным дрейфом JFET-input
|
1
|
|
|
|
|
|
КТ646А |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 1Вт, 200МГц, 60В
|
КРЕМНИЙ
|
311
|
48.45
|
|
|
|
КТ646А |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 1Вт, 200МГц, 60В
|
|
518
|
31.50
|
|
|
|
КТ646А |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 1Вт, 200МГц, 60В
|
БРЯНСК
|
|
|
|
|
|
КТ646А |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 1Вт, 200МГц, 60В
|
МИНСК
|
|
|
|
|
|
КТ646А |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 1Вт, 200МГц, 60В
|
RUS
|
|
|
|
|
|
КТ646А |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 1Вт, 200МГц, 60В
|
ИНТЕГРАЛ
|
|
|
|
|
|
КТ646А |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 1Вт, 200МГц, 60В
|
ТРАНЗИСТОР
|
|
|
|