OLED MI6448AO

Версия для печати

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

С этим товаром покупают:

Наименование	Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.
BFG540	Транзистор СВЧ 9 ГГц, 15В, 120мA, 0.4 Вт	NXP
BFG540	Транзистор СВЧ 9 ГГц, 15В, 120мA, 0.4 Вт	PHILIPS
BFG540	Транзистор СВЧ 9 ГГц, 15В, 120мA, 0.4 Вт			61.20
BFG540	Транзистор СВЧ 9 ГГц, 15В, 120мA, 0.4 Вт	PHILIPS
BFG540	Транзистор СВЧ 9 ГГц, 15В, 120мA, 0.4 Вт	ISCSEMI
BFG540	Транзистор СВЧ 9 ГГц, 15В, 120мA, 0.4 Вт	ISC	2 201	26.66
MMBTA42 (2SC4061) SOT-2
MMBTA92LT1G	Транзистор PNP (Uce=300V, Ic=500mA, P=225mW, B>40@I=10mA, f=50MHz, -55 to +150C)	ON SEMICONDUCTOR	12	2.48
MMBTA92LT1G	Транзистор PNP (Uce=300V, Ic=500mA, P=225mW, B>40@I=10mA, f=50MHz, -55 to +150C)	ONS	2 320	7.87
MMBTA92LT1G	Транзистор PNP (Uce=300V, Ic=500mA, P=225mW, B>40@I=10mA, f=50MHz, -55 to +150C)			7.20
MMBTA92LT1G	Транзистор PNP (Uce=300V, Ic=500mA, P=225mW, B>40@I=10mA, f=50MHz, -55 to +150C)	ON SEMICONDUCTOR	1 003
MMBTA92LT1G	Транзистор PNP (Uce=300V, Ic=500mA, P=225mW, B>40@I=10mA, f=50MHz, -55 to +150C)	GALAXY
MMBTA92LT1G	Транзистор PNP (Uce=300V, Ic=500mA, P=225mW, B>40@I=10mA, f=50MHz, -55 to +150C)	ON SEMICONDUCTO
MMBTA92LT1G	Транзистор PNP (Uce=300V, Ic=500mA, P=225mW, B>40@I=10mA, f=50MHz, -55 to +150C)	ONSEMICONDUCTOR
MMBTA92LT1G	Транзистор PNP (Uce=300V, Ic=500mA, P=225mW, B>40@I=10mA, f=50MHz, -55 to +150C)	0.00
ГД507А	Диод импульсный для монтажа в отв. платы, Uоб/Uимп - 20/30В, Iпр/I обр 16мА/100мкА			4.80
ГД507А	Диод импульсный для монтажа в отв. платы, Uоб/Uимп - 20/30В, Iпр/I обр 16мА/100мкА	ЭЛЕКС
КД922Б				10.48
КД922Б		ХЕРСОН
КД922Б		ДНЕПР