![]() |
|
Мощность рассеяния,Вт | 0.5 |
Минимальное напряжение стабилизации,В | 29 |
Номинальное напряжение стабилизации,В | 31 |
Максимальное напряжение стабилизации,В | 33 |
Статическое сопротивление Rст.,Ом | 90 |
при токе I ст,мА | 5 |
Температурный коэффициент напряжения стабилизации аUст.,%/С | 0.005 |
Временная нестабильность напряжения стабилизации dUст.,В | 1 |
Минимальный ток стабилизации Iст.мин.,мА | 1 |
Максимальный ток стабилизации Iст.макс.,мА | 15 |
Рабочая температура,С | -60...100 |
Способ монтажа | в отверстие |
Корпус | kd25 |
Производитель | Россия |
Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
![]() |
3362P-1-105LF |
![]() |
Bourns Inc |
![]() |
![]() |
||
![]() |
![]() |
3362P-1-105LF |
![]() |
BOURNS | 16 | 31.49 | ||
![]() |
![]() |
3362P-1-105LF |
![]() |
![]() |
![]() |
|||
![]() |
![]() |
3362P-1-105LF |
![]() |
OLITECH |
![]() |
![]() |
||
NCP1402SN50T1G |
![]() |
Импульсный повыш. стабилизатор (I=0.2A, Vin=0.8 to 5.5 V, Vout=5V). | ON SEMICONDUCTOR |
![]() |
![]() |
|||
NCP1402SN50T1G |
![]() |
Импульсный повыш. стабилизатор (I=0.2A, Vin=0.8 to 5.5 V, Vout=5V). | ONS |
![]() |
![]() |
|||
NCP1402SN50T1G |
![]() |
Импульсный повыш. стабилизатор (I=0.2A, Vin=0.8 to 5.5 V, Vout=5V). |
![]() |
![]() |
||||
NCP1402SN50T1G |
![]() |
Импульсный повыш. стабилизатор (I=0.2A, Vin=0.8 to 5.5 V, Vout=5V). | ONSEMICONDUCTOR |
![]() |
![]() |
|||
NCP1402SN50T1G |
![]() |
Импульсный повыш. стабилизатор (I=0.2A, Vin=0.8 to 5.5 V, Vout=5V). | ON SEMICONDUCTO |
![]() |
![]() |
|||
PVZ3A105, 1 МОМ (3303W-3-105), РЕЗИСТОР ПОДСТРОЕЧНЫЙ | MURATA |
![]() |
![]() |
|||||
SS12F23EG5-G | SWITRONIC | 6 400 | 42.31 | |||||
SS12F23EG5-G | SWITR |
![]() |
![]() |
|||||
SS12F23EG5-G |
![]() |
![]() |
||||||
TDA7052AT/N2.118 | NXP |
![]() |
![]() |
|||||
TDA7052AT/N2.118 |
![]() |
![]() |
|
Корзина
|