МБГВ-1000-100 30%-10%
Металлобумажный конденсатор 100 мкФ 1000 В
|
|
Версия для печати
| Тип | Металлобумажный |
| Тип монтажа | Выводной |
| Серия | МБГВ-1000 |
| Емкость | 100 мкФ |
| Номинальное напряжение | 1000 В |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
С этим товаром покупают:
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
 |
BT139-800 |
|
Симистор (триак) (Vdrm=800V(max), It=16A(max), Vt=1.2V(typ)) | NXP | 800 | 79.38 | |
|
|
|
BT139-800 |
|
Симистор (триак) (Vdrm=800V(max), It=16A(max), Vt=1.2V(typ)) | PHILIPS |
|
|
|
|
|
|
BT139-800 |
|
Симистор (триак) (Vdrm=800V(max), It=16A(max), Vt=1.2V(typ)) | 808 | 27.67 | ||
|
|
|
BT139-800 |
|
Симистор (триак) (Vdrm=800V(max), It=16A(max), Vt=1.2V(typ)) | NXP | 49 |
|
|
|
|
|
BT139-800 |
|
Симистор (триак) (Vdrm=800V(max), It=16A(max), Vt=1.2V(typ)) | ФИЛИППИНЫ |
|
|
|
 |
|
M4T28-BR12SH1 |
|
Батарея для памяти RAM Timekeeper 3В, 48mAч | ST MICROELECTRONICS | 176 | 648.32 | |
|
|
|
M4T28-BR12SH1 |
|
Батарея для памяти RAM Timekeeper 3В, 48mAч |
|
540.00 | ||
|
|
|
M4T28-BR12SH1 |
|
Батарея для памяти RAM Timekeeper 3В, 48mAч | STMicroelectronics |
|
|
|
|
|
|
M4T28-BR12SH1 |
|
Батарея для памяти RAM Timekeeper 3В, 48mAч | ST MICROELECTRONICS SEMI |
|
|
|
|
|
|
M4T28-BR12SH1 |
|
Батарея для памяти RAM Timekeeper 3В, 48mAч | SGS THOMSON |
|
|
|
|
|
|
M4T28-BR12SH1 |
|
Батарея для памяти RAM Timekeeper 3В, 48mAч | ST MICROELECTRO |
|
|
|
| VS-85EPF12 | VISHAY |
|
|
|||||
| VS-85EPF12 | VISHAY/IR |
|
|
|||||
| VS-85EPF12 |
|
|
||||||
| ТБ171-200-12 |
|
3 174.00 |
