![]() |
|
Drain to Source Voltage (Vdss) | 100V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 6 Ohm @ 100mA, 10V |
FET Feature | Logic Level Gate |
FET Type | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 170mA |
Vgs(th) (Max) @ Id | 2.8V @ 1mA |
Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 20pF @ 25V |
Power - Max | 225mW |
Тип монтажа | Поверхностный |
Корпус (размер) | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Корпус | SOT-23-3 |
Product Change Notification | Wire Change for SOT23 Pkg 26/May/2009 |
Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
![]() |
74HC595DR2G |
![]() |
Сдвиговый регистр 8 бит, последовательный в паралельный | ON SEMICONDUCTOR |
![]() |
![]() |
|
![]() |
![]() |
74HC595DR2G |
![]() |
Сдвиговый регистр 8 бит, последовательный в паралельный | ONS | 1 040 | 40.29 | |
![]() |
![]() |
74HC595DR2G |
![]() |
Сдвиговый регистр 8 бит, последовательный в паралельный |
![]() |
![]() |
||
![]() |
![]() |
74HC595DR2G |
![]() |
Сдвиговый регистр 8 бит, последовательный в паралельный | 4-7 НЕДЕЛЬ | 185 |
![]() |
|
CKX3-3.5-03A ГНЕЗДО НА ПЛАТУ |
![]() |
![]() |
||||||
![]() |
![]() |
NCP1400ASN50T1G |
![]() |
Импульсный стабилизатор напряжения | ON SEMICONDUCTOR |
![]() |
![]() |
|
![]() |
![]() |
NCP1400ASN50T1G |
![]() |
Импульсный стабилизатор напряжения |
![]() |
48.44 | ||
![]() |
![]() |
NCP1400ASN50T1G |
![]() |
Импульсный стабилизатор напряжения | ONS |
![]() |
![]() |
|
![]() |
![]() |
NCP1400ASN50T1G |
![]() |
Импульсный стабилизатор напряжения | МАЛАЙЗИЯ |
![]() |
![]() |
|
![]() |
![]() |
NCP1400ASN50T1G |
![]() |
Импульсный стабилизатор напряжения | ON SEMICONDUCTO |
![]() |
![]() |
|
![]() |
![]() |
NCP1400ASN50T1G |
![]() |
Импульсный стабилизатор напряжения | 4-7 НЕДЕЛЬ | 286 |
![]() |
|
SF-007 (10.5X8.6X2.5MM) |
![]() |
![]() |
||||||
USB/F-4 |
![]() |
![]() |
|
Корзина
|